[发明专利]一种单级式无电解电容LED驱动电源有效

专利信息
申请号: 201410371111.3 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN104202862B 公开(公告)日: 2017-02-01
发明(设计)人: 金科;张艺文;沈志远 申请(专利权)人: 南京航空航天大学
主分类号: H05B37/00 分类号: H05B37/00
代理公司: 江苏圣典律师事务所32237 代理人: 贺翔
地址: 210016 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 单级式无 电解电容 led 驱动 电源
【权利要求书】:

1.一种单级式无电解电容LED驱动电源,其特征在于:包括输入滤波整流电路(1)、反激原边开关电路(2)、辅助绕组全桥双向电路(3)、副边整流滤波电路(4)及隔离变压器(T1)。

2.如权利要求1所述的单级式无电解电容LED驱动电源,其特征在于:隔离变压器(T1)由一个原边绕组和两个副边绕组组成,包括隔离变压器(T1)原边电感(Lm)和漏感;

输入滤波整流电路(1)的滤波电路由输入滤波电感(L1)和输入滤波电容(C1)并联在电网输入两端组成,输入滤波整流电路(1)的整流部分采用四个二极管(D1、D2、D3、D4)组成的全桥不控整流电路并联在滤波电路两端;

反激原边开关电路(2)由隔离变压器(T1)原边绕组的异名端与主开关MOS管(Q1)的漏极相连组成,主开关MOS管(Q1)包括其寄生二极管和寄生电容;

辅助绕组全桥双向电路(3)由第一、第二辅助IGBT管(Qs1、Qs2)及第一、第二辅助MOS管(Qs3、Qs4),第一、第二辅助二极管(Ds1、Ds2)及辅助储能电容(Cb)组成,其中第一辅助IGBT管(Qs1)和第一辅助二极管(Ds1)以及第一辅助MOS管(Qs3)依次串联,第二辅助IGBT管(Qs2)和第二辅助二极管(Ds2)以及第二辅助MOS管(Qs4)依次串联后组成两个桥臂并联,并且并联在隔离变压器(T1)第二个副边绕组两端,隔离变压器(T1)第二个副边绕组的异名端与第一、第二辅助IGBT管(Qs1)、(Qs2)的集电极相连,同名端与第一、第二辅助MOS管(Qs3、Qs4)的源级相连,辅助储能电容(Cb)的一端连在第一辅助IGBT管(Qs1)与第一辅助二极管(Ds1)的中点,另一端连在第二辅助IGBT管(Qs2)与第二辅助二极管(Ds2)的中点,第一、第二辅助IGBT管(Qs1、Qs2)各自包含其寄生电容,第一、第二辅助MOS管(Qs3、Qs4)各自包含其寄生二极管和寄生电容;

副边整流滤波电路(4)由整流二极管(DR),整流MOS管(QR)以及输出滤波电容(C2)和输出滤波电感(L2)组成,隔离变压器(T1)第一个副边绕组的异名端连于整流二极管(DR)的阳极,整流二极管(DR)与整流MOS管(QR)、输出滤波电感(L2)串联后连于LED负载的正输出端,隔离变压器(T1)第一个副边绕组的同名端与LED负载的负输出端相连,输出滤波电容(C2)并联于整流MOS管(QR)的源级与LED负载的负输出端之间,整流MOS管(QR)包含其寄生二极管和寄生电容。

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