[发明专利]一种单级式无电解电容LED驱动电源有效
申请号: | 201410371111.3 | 申请日: | 2014-07-30 |
公开(公告)号: | CN104202862B | 公开(公告)日: | 2017-02-01 |
发明(设计)人: | 金科;张艺文;沈志远 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H05B37/00 | 分类号: | H05B37/00 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单级式无 电解电容 led 驱动 电源 | ||
1.一种单级式无电解电容LED驱动电源,其特征在于:包括输入滤波整流电路(1)、反激原边开关电路(2)、辅助绕组全桥双向电路(3)、副边整流滤波电路(4)及隔离变压器(T1)。
2.如权利要求1所述的单级式无电解电容LED驱动电源,其特征在于:隔离变压器(T1)由一个原边绕组和两个副边绕组组成,包括隔离变压器(T1)原边电感(Lm)和漏感;
输入滤波整流电路(1)的滤波电路由输入滤波电感(L1)和输入滤波电容(C1)并联在电网输入两端组成,输入滤波整流电路(1)的整流部分采用四个二极管(D1、D2、D3、D4)组成的全桥不控整流电路并联在滤波电路两端;
反激原边开关电路(2)由隔离变压器(T1)原边绕组的异名端与主开关MOS管(Q1)的漏极相连组成,主开关MOS管(Q1)包括其寄生二极管和寄生电容;
辅助绕组全桥双向电路(3)由第一、第二辅助IGBT管(Qs1、Qs2)及第一、第二辅助MOS管(Qs3、Qs4),第一、第二辅助二极管(Ds1、Ds2)及辅助储能电容(Cb)组成,其中第一辅助IGBT管(Qs1)和第一辅助二极管(Ds1)以及第一辅助MOS管(Qs3)依次串联,第二辅助IGBT管(Qs2)和第二辅助二极管(Ds2)以及第二辅助MOS管(Qs4)依次串联后组成两个桥臂并联,并且并联在隔离变压器(T1)第二个副边绕组两端,隔离变压器(T1)第二个副边绕组的异名端与第一、第二辅助IGBT管(Qs1)、(Qs2)的集电极相连,同名端与第一、第二辅助MOS管(Qs3、Qs4)的源级相连,辅助储能电容(Cb)的一端连在第一辅助IGBT管(Qs1)与第一辅助二极管(Ds1)的中点,另一端连在第二辅助IGBT管(Qs2)与第二辅助二极管(Ds2)的中点,第一、第二辅助IGBT管(Qs1、Qs2)各自包含其寄生电容,第一、第二辅助MOS管(Qs3、Qs4)各自包含其寄生二极管和寄生电容;
副边整流滤波电路(4)由整流二极管(DR),整流MOS管(QR)以及输出滤波电容(C2)和输出滤波电感(L2)组成,隔离变压器(T1)第一个副边绕组的异名端连于整流二极管(DR)的阳极,整流二极管(DR)与整流MOS管(QR)、输出滤波电感(L2)串联后连于LED负载的正输出端,隔离变压器(T1)第一个副边绕组的同名端与LED负载的负输出端相连,输出滤波电容(C2)并联于整流MOS管(QR)的源级与LED负载的负输出端之间,整流MOS管(QR)包含其寄生二极管和寄生电容。
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