[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201410371309.1 申请日: 2014-07-30
公开(公告)号: CN104916614A 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 福井刚 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/60
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,具备:

半导体芯片,具有表面电极;

金属制的引线框,具有搭载上述半导体芯片的第1部分、和与上述第1部分分离地设置的第2部分;

树脂制的密封部,以将上述半导体芯片覆盖的方式形成;以及

金属制的连接器,具有与上述半导体芯片的表面接合的第1接合部、与上述引线框的上述第2部分的表面接合的平板状的第2接合部、和将上述第1接合部与上述第2接合部之间连结的连结部,上述第2接合部相对于上述引线框的上述第2部分被垂直地接合。

2.如权利要求1记载的半导体装置,

上述第2接合部是由金属一体形成的上述连接器中的、从上述连结部朝向上述第2部分弯曲的平板上的部分,通过将上述第2接合部的上述第2部分侧的端部与上述第2部分接合,将上述第2接合部与上述第2部分垂直地接合。

3.如权利要求1或2记载的半导体装置,

在上述第2部分的表面具备防浸润部,该防浸润部以将上述第2部分与上述第2接合部之间的接合面包围的方式,抑制熔融后的接合剂的浸润。

4.如权利要求3记载的半导体装置,

上述防浸润部由氧化膜形成。

5.如权利要求1或2记载的半导体装置,

上述连接器的第1接合部的背面具有多个凸部。

6.如权利要求1或2记载的半导体装置,

在上述连接器的第2接合部的下端部的侧面的至少一部分形成有凹部。

7.如权利要求1或2记载的半导体装置,

在上述连接器的上述第2接合部的侧面,形成由该第2接合部的高度的3分之1以上的高度的接合剂形成的倒角。

8.如权利要求1或2记载的半导体装置,

在上述连接器的第1接合部以及连结部的至少一方的表面,形成至少1个凹部。

9.如权利要求1或2记载的半导体装置,

在上述连接器的第1接合部的表面的至少一部分具有绝缘部,该绝缘部含有硅、聚酰亚胺以及聚酰胺中的至少一种。

10.如权利要求1或2记载的半导体装置,

上述连接器由铜、镀镍的铜、镀银的铜、镀金的铜、铜合金、或者铝形成。

11.一种半导体装置的制造方法,具备以下步骤:

将具有表面电极的半导体芯片接合到引线框的第1部分的表面;

对上述半导体芯片的表面、和与上述第1部分分离地设置的上述引线框的第2部分的表面涂敷接合剂;

以使金属制的连接器的第2接合部相对于上述引线框的第2部分垂直地接合的方式,通过上述接合剂将上述金属制的连接器与上述半导体芯片和上述引线框接合,上述金属制的连接器具有:与上述半导体芯片的表面接合的第1接合部、与上述引线框的上述第2部分的表面接合的平板状的上述第2接合部、和将上述第1接合部及上述第2接合部之间连结的连结部;以及

以将上述半导体芯片以及上述连接器覆盖的方式通过树脂进行密封。

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