[发明专利]晶圆激光切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶圆制作技术领域，尤其涉及一种晶圆激光切割方法。

背景技术

随着硅半导体集成电路的广泛应用，硅半导体集成电路都要用到晶圆，传统的晶圆切割方法，都是手工采用金刚石刀进行切割，在晶圆上划分出若干个圆环，在划分出的圆环上切割出面积相等或者近似相等的小圆弧体。或者采用的是非均匀圆环、同一圆心角内进行切割的切割方法，这种晶圆切割方法的耗材大，经常要更换刀具，切割出来的晶圆芯片相距的宽度比较大，不均匀，所能切割的材料单一，适用性差，效率低下。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种晶圆激光切割方法，该晶圆激光切割方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高、全自动运行，对晶圆切割的位置进行准确定位，切割出来的晶圆芯片均匀、美观，能切割多种材料，适应性强，可以避免薄晶圆因切割破裂。

为解决上述技术问题，本发明提供的晶圆激光切割方法包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面，在所述晶圆的背面贴附胶膜，通过激光切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，所述激光切割工艺包括激光发生器发出激光，对激光通过光路构件进行扩束、整形、滤掉杂光，然后将将激光传到切割头，所述切割头根据CCD摄像头确定的晶圆切割点对所述晶圆进行切割，以形成多个分离的芯片。

优选地，所述激光切割工艺包括以下步骤：

S1：激光发生器发出激光；

S2：将从所述激光发生器发出的激光进行第一次扩束，并进行滤除杂光；

S3：对所述激光进行第二次扩束，并将扩束后的激光传递到切割头；

S4：CCD摄像头对所述晶圆进行拍照，切割头根据CCD摄像头确定的晶圆切割点对所述晶圆进行切割，以形成多个分离的芯片。

优选地，所述光路结构包括第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜、第四反射镜、第一扩束镜、第二扩束镜、光闸及光阑。

优选地，所述胶膜为UV膜。

优选地，所述步骤S2的实现步骤包括：

S201：将从所述激光发生器发出的激光经过所述第一次扩束镜进行多倍扩束，

S202：将经过所述第一扩束镜的激光经过第一反射镜、光阑、第二反射镜，然后传递给光闸。

优选地，所述步骤S3的实现步骤包括：

S301：将经过所述光闸的激光传递到第三反射镜；

S302：将经过第三反射镜的激光传递到第二扩束镜，通过所述第二扩束镜进行多倍扩束；

S303：将经过所述第二扩束镜的激光经过第四反射镜，然后传递给切割头。

优选地，所述步骤S4的实现步骤包括：

S401：CCD摄像头对所述待切割晶圆进行拍照，并将拍摄到的照片进行分析，然后确定好所述晶圆上面的切割点；

S402：切割头根据CCD摄像头反馈回来的切割点数据对所述晶圆进行切割；

S403：使CCD摄像头确定的切割道贯穿于整个晶圆，以形成多个分离的芯片；

采用上述方法之后，通过激光切割工艺自所述晶圆的正面向其背面进行切割，所述激光切割工艺包括激光发生器发出激光，对激光通过光路构件进行扩束、整形、滤掉杂光，然后将将激光传到切割头，所述切割头根据CCD摄像头确定的晶圆切割点对所述晶圆进行切割，使CCD摄像头确定的切割道贯穿于整个晶圆，以形成多个分离的芯片，该晶圆激光切割方法工作效率高、能精确地调整待切割晶圆的各个方向的位置、精度高，不会产生切割应力，因此本发明中的晶圆切割方法可以避免薄晶圆的破裂，对晶圆切割的位置进行准确定位，形成的晶圆芯片均匀、美观。

附图说明

图1为本发明激光切割工艺的执行流程图；

图2为图1中步骤S2的实现流程图；

图3为图1中步骤S3的实现流程图；

图4为图1中步骤S4的实现流程图；

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1，图1为本发明激光切割工艺的执行流程图；在本实施例中，晶圆激光切割方法包括：提供晶圆，该晶圆包括正面和与该正面相对应的背面，在所述晶圆的背面贴附胶膜，通过激光切割工艺10自所述晶圆的正面向其背面进行切割，所述激光切割工艺包括激光发生器发出激光，对激光通过光路构件进行扩束、整形、滤掉杂光，然后将将激光传到切割头，所述切割头根据CCD摄像头确定的晶圆切割点对所述晶圆进行切割，以形成多个分离的芯片。