[发明专利]靶材加工设备以及加工方法

说明书

本发明提供一种靶材加工设备以及加工方法，其中加工设备包括：铣切设备，用于铣切靶材表面以形成所述密封槽，所述铣切设备包括具有回转中心轴的铣刀，所述铣刀能够绕所述回转中心轴自转，并沿预设轨迹移动；所述铣刀包括体部以及设于所述体部一端用于铣切靶材的铣切部。所述加工方法包括：提供待加工靶材；提供铣切设备，以在所述待加工靶材表面形成密封槽。本发明的有益效果在于：可以形成任何形状的密封槽，具有较强的灵活性。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体涉及一种靶材加工设备以及加工方法。

背景技术

目前，在半导体结构表面形成电极膜通常采用溅射沉积的方法。溅射沉积(Sputtering Deposition,SD)是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)中的一种。在溅射沉积过程中要用到靶材，所述靶材在溅射过程中被高能量粒子轰击，靶材的原子或分子离开固体进入气体，并沉淀积累在待沉积的基底表面上形成薄膜。

为了最大限度地减少溅射过程中的杂质干扰，保证沉积薄膜的质量，一般在溅射时将所述靶材所在的溅射沉积室进行抽真空，并在溅射过程中不断地向沉积室内通入惰性气体(如氩气)；利用惰性气体离子轰击靶材并产生辉光放电现象。

为了实现真空，一般需要在靶材表面的非溅射区域形成密封槽，并在密封槽内设置密封圈，靶材安置在溅射设备中时，密封槽以及密封圈与溅射设备配合以形成一个密闭的用于抽真空的腔室。但是，现有的在靶材表面形成密封槽的工艺仍不够理想。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种靶材加工设备以及加工方法，以较灵活地在任意形状的靶材表面形成密封槽。

为解决上述问题，本发明提供一种靶材加工设备，用于在靶材表面形成密封槽，包括：

铣切设备，用于铣切靶材表面以形成所述密封槽；

所述铣切设备包括具有回转中心轴的铣刀，所述铣刀能够绕所述回转中心轴自转，并沿预设轨迹移动；

所述铣刀包括体部以及设于所述体部一端用于铣切靶材的铣切部。

可选的，所述铣切部的横截面呈上小下大的梯形；所述密封槽为燕尾槽形状的密封槽。

可选的，所述铣切部呈圆柱形，铣切部的侧面开设有凹槽，用于排出铣切碎屑。

可选的，所述铣切部包括沿所述回转中心轴均布的若干片刀刃。

可选的，所述铣切部包括4片刀刃，所述刀刃之间的夹角为90度。

可选的，所述铣刀的材料为钨钢或者白钢。

此外，本发明还提供一种靶材的加工方法，用于在靶材表面形成密封槽，包括：

提供待加工靶材；

提供铣切设备；

通过所述铣切设备铣切所述靶材表面以形成密封槽。

可选的，提供铣切设备的步骤包括：使所述铣切设备包括具有回转中心轴的铣刀，所述铣刀包括体部以及设于体部端部的铣切部，所述铣切部的截面呈梯形；

通过所述铣切设备铣切所述靶材表面以形成密封槽的步骤包括：形成燕尾槽形状的密封槽。

可选的，提供待加工靶材的步骤还包括：

在所述待加工靶材表面形成若干排气槽；

通过所述铣切设备铣切所述靶材表面以形成密封槽的步骤包括：以所述排气槽作为所述铣刀的入刀点；在形成所述密封槽后，以所述排气槽作为所述铣刀的退刀点。

可选的，通过所述铣切设备铣切所述靶材表面以形成密封槽的步骤包括：在所述待加工靶材表面形成三角形轨迹形状密封槽。