[发明专利]一种用于形成嵌入式锗硅的方法在审
| 申请号： | 201410373426.1 | 申请日： | 2014-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105321881A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;李润领;周海锋;谭俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 形成 嵌入式 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在衬底上形成刻蚀停止层；
在所述刻蚀停止层上形成第一半导体层；
形成隔离结构；
在所述第一半导体层上形成栅极和侧墙；
选择性去除所述第一半导体层，仅保留所述第一半导体层在所述栅极和侧墙下方的部分，以形成源区和漏区凹槽；
对所述第一半导体层的剩余部分进行具有晶向选择性的湿法刻蚀，以在所述第一半导体层的侧壁上形成Σ形状。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底选自以下材料中的任一种：单晶硅、经掺杂的单晶硅、多晶或多层结构、绝缘体上的半导体、Ge、GaAs或InP。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层是SiGe。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层是碳化硅。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的厚度在5埃至9埃的范围内。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层是通过外延生长形成的外延硅层；所述外延硅层的厚度不小于100埃。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述外延硅层的厚度在300埃至800埃的范围内。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述外延硅层的顶面由晶面族{100}构成，且侧壁由晶面族{110}构成，所述具有晶向选择性的湿法刻蚀停止在晶面族{111}。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在晶向选择性的湿法刻蚀之后，在Σ形状的源区和漏区凹槽中形成SiGe。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述刻蚀停止层和所述衬底之间形成缓冲区。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述选择性去除所述第一半导体层包括以下步骤中的至少一步：
沉积掩膜层；
选择性去除源区和漏区上的掩膜层；
利用掩膜层，通过干法刻蚀，对所述第一半导体层进行刻蚀，直至在所述刻蚀停止层为止。
12.一种半导体器件，包括通过权利要求1至11中的任一项所述的方法制造的结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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