[发明专利]一种阵列基板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

在以液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)为代表的显示技术领域中，由于分辨率的提高和显示尺寸的增大、以及显示装置中驱动器电路的集成需要进行低电阻布线，因此，具有低电阻特性的金属例如铜(Cu)所制得的栅线和数据线、以及薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)中的栅极、源极和漏极已经应用于显示装置。

然而由于具有低电阻特性的金属例如Cu的活性比较强，在刻蚀形成像素电极时，Cu表面容易发生氧化，并且Cu表面氧化厚度会随着时间的增加而不断增加，这样会造成Cu材质的源极和漏极的接触电阻增加，从而导致像素电极无法与漏极连接，进而影响产品良率。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，可以避免由于源极图案和漏极图案采用活性较强的材料时，其表面氧化而导致像素电极图案无法与源极图案或漏极图案连接的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板上形成栅极图案、栅绝缘层图案、金属氧化物半导体有源层图案；形成刻蚀阻挡层；先形成像素电极图案，再形成源极图案和漏极图案；其中，所述像素电极图案通过所述源极图案或者漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案连接。

另一方面，提供一种阵列基板，包括：衬底基板、依次设置在所述衬底基板上的栅极图案、栅绝缘层图案、金属氧化物半导体有源层图案、刻蚀阻挡层图案、像素电极图案、以及源极图案和漏极图案；

其中，所述刻蚀阻挡层图案包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔用于分别使所述源极图案和所述漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案相连；所述像素电极图案和所述源极图案或所述漏极图案相连，且与所述像素电极图案相连的所述源极图案或所述漏极图案的部分覆盖在所述像素电极图案上方。

再一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板

本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，该阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成栅极图案、栅绝缘层图案、金属氧化物半导体有源层图案；形成刻蚀阻挡层；先形成像素电极图案，再形成源极图案和漏极图案；其中，所述像素电极图案通过所述源极图案或者漏极图案与所述金属氧化物半导体有源层图案连接。

一方面，通过采用金属氧化物半导体有源层图案以及具有低电阻特性的电极可以制造出分辨率更高、性能更好，且尺寸较大的阵列基板；另一方面，通过先形成像素电极图案后形成源极图案和漏极图案，相对现有技术中先形成源极图案和漏极图案后形成像素电极图案，可以避免具有低电阻特性的材料由于其活性较强而使所述源极图案和漏极图案的表面氧化而导致像素电极图案无法与源极图案或漏极图案连接的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视示意图；

图2为本发明实施例提供的一种制造阵列基板的流程示意图；

图3-图10为从图1所示的阵列基板的AA’向剖面线看过去，制备阵列基板的过程示意图一；

图11为在图10基础上形成公共电极图案和钝化层图案的结构示意图；

图12-图14为从图1所示的阵列基板的AA’向剖面线看过去，制备形成刻蚀阻挡层图案和光刻胶层图案的另一过程示意图；

图15为本发明实施例提供的另一种制造阵列基板的流程示意图；

图16-图19从图1所示的阵列基板的AA’向剖面线看过去，制备阵列基板的过程示意图二；

图20为在图19基础上形成公共电极图案和钝化层图案的结构示意图。

附图标记：