[发明专利]具有单元沟槽结构和接触点的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供从第一表面延伸至半导体部分中的第一单元沟槽结构和第二单元沟槽结构，其中所述第一单元沟槽结构包括第一埋置电极以及在所述第一埋置电极和半导体台面之间的第一绝缘层，所述半导体台面分隔所述第一单元沟槽结构和所述第二单元沟槽结构；

提供覆盖所述第一表面的包覆层；

图形化所述包覆层以形成具有最小宽度大于所述第一绝缘层的厚度的开口，所述开口暴露在所述第一表面处的所述第一绝缘层的第一垂直部分；

除去所述第一绝缘层的暴露部分以在所述半导体台面和所述第一埋置电极之间形成凹部；以及

在所述凹部和所述开口中提供接触结构。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括

在所述半导体台面中，沿所述第一表面形成第一导电类型的源区和在距所述第一表面为第一距离处形成互补的第二导电类型的体区，所述第一距离小于所述凹部的垂直延伸。

3.如权利要求2所述的方法，

其中所述源区被形成以从所述第一单元沟槽结构延伸至所述第二单元沟槽结构，并分隔所述体区与所述第一表面。

4.如权利要求1所述的方法，

其中除所述第一绝缘层的所述第一垂直部分之外，所述开口被形成以暴露所述第一埋置电极的部分和所述半导体台面的部分。

5.如权利要求1所述的方法，

其中形成所述凹部的步骤包括沿所述半导体台面和所述第一埋置电极，选择性蚀刻所述第一绝缘层。

6.如权利要求1所述的方法，

其中在所述包覆层中形成所述开口以及在所述半导体台面和所述第一埋置电极之间形成所述凹部被结合在单个的原位制程中。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包括

在提供所述接触结构之前，横向地扩宽所述凹部。

8.如权利要求1所述的方法，

其中形成所述凹部包括原位横向地扩宽所述凹部。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括

在提供所述接触结构之前，通过等离子体注入，在被所述凹部暴露的所述半导体台面的侧壁部分中注入所述第二导电类型的杂质。

10.如权利要求1所述的方法，进一步包括

在提供所述接触结构之前，通过离子束注入，在被所述凹部暴露的所述半导体台面的侧壁部分中注入所述第二导电类型的杂质。

11.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

将第一单元沟槽和第二单元沟槽从第一表面引入至半导体衬底中，其中第一半导体台面形成于所述第一单元沟槽和所述第二单元沟槽之间，并且第二半导体台面形成于所述第一单元沟槽之间；

沿着至少所述第一单元沟槽的侧壁提供第一绝缘层；

在所述第一单元沟槽中在所述第一绝缘层上提供第一埋置电极；

提供覆盖所述第一表面的包覆层；

图形化所述包覆层以形成具有最小宽度大于所述第一绝缘层的厚度的第一开口和第二开口，所述第一开口暴露邻接所述第一半导体台面的所述第一绝缘层的第一垂直部分，所述第二开口暴露位于所述第二半导体台面之间的所述第一单元沟槽的所述第一埋置电极；

除去所述第一绝缘层的暴露部分以在所述第一半导体台面和所述第一埋置电极之间形成凹部；以及

沉积导电材料以形成在所述凹部和所述第一开口中的第一接触结构和在所述第二开口中的第二接触结构。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：

在提供所述第一接触结构之前扩宽所述凹部。

13.如权利要求11所述的方法，进一步包括

在提供所述第一接触结构之前，通过离子束注入，在被所述凹部暴露的所述第一半导体台面的侧壁部分中注入杂质。