[发明专利]GaN基LED结构及其形成方法

权利要求书

1.一种GaN基LED结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底之上的第一掺杂类型GaN层；

位于所述第一掺杂类型GaN层之上的量子阱发光层；

位于所述量子阱发光层之上的第二掺杂类型GaN层；

电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述量子阱发光层与P掺杂类型GaN层之间，其中， 所述电子阻挡层包括块结构层和超晶格结构层，所述块结构层的禁带宽度大于GaN的禁带 宽度，所述超晶格结构层用于调节所述P掺杂类型GaN层与所述块结构层之间的能带倾斜 程度以降低空穴势垒高度；以及

P电极和N电极。

2.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括：

沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN材料的 第一块结构层和GaN/AlGaN材料的第一超晶格结构层。

3.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括：

沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN材料 的第二块结构层和InGaN/GaN材料的第二超晶格结构层。

4.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括：

沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN/GaN 材料的第三超晶格结构层、AlGaN材料的第三块结构层和InGaN/GaN材料的第四超晶格 结构层。

5.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括：

沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN/GaN 材料的第五超晶格结构层、AlGaN材料的第四块结构层和InGaN/AlGaN材料的第六超晶 格结构层。

6.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述超晶格结构层中的超 晶格层数目为1-6层。

7.一种GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底；

在所述衬底之上形成第一掺杂类型GaN层；

在所述第一掺杂类型GaN层之上形成量子阱发光层；

在所述量子阱发光层之上形成第二掺杂类型GaN层；

在所述量子阱发光层与P掺杂类型GaN层之间形成电子阻挡层，其中，所述电子阻挡 层包括块结构层和超晶格结构层，所述块结构层的禁带宽度大于GaN的禁带宽度，所述超 晶格结构层用于调节所述P掺杂类型GaN层与所述块结构层之间的能带倾斜程度以降低空 穴势垒高度；以及

形成P电极和N电极。

8.根据权利要求7所述的GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，所述电子阻挡 层具体包括：

沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN材料的 第一块结构层和GaN/AlGaN材料的第一超晶格结构层。

9.根据权利要求7所述的GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，所述电子阻挡 层具体包括：

沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN材料 的第二块结构层和InGaN/GaN材料的第二超晶格结构层。

10.根据权利要求7所述的GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，所述电子阻 挡层具体包括：

沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN/GaN 材料的第三超晶格结构层、AlGaN材料的第三块结构层和InGaN/GaN材料的第四超晶格 结构层。