[发明专利]LED外延层结构、生长方法及具有该结构的LED芯片有效
| 申请号： | 201410376488.8 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104157745B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 林传强;戚运东;周佐华 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所43211 | 代理人： | 黄子平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 外延 结构 生长 方法 具有 芯片 | ||
1.一种LED外延层结构，包括依次叠置的掺Si-N型GaN层、MQW层和P型AlGaN层，所述MQW层包括多个依次叠置的MQW单元，所述MQW单元包括叠置的InXGa(1-X)N层和GaN层，其特征在于，由所述掺Si-N型GaN层向P型AlGaN层方向，所述InXGa(1-X)N层中的X自第一个InXGa(1-X)N层起由A以相同的变化量逐层增大至B，其中0.05≤A≤0.3，A＜B≤0.3，且任一InXGa(1-X)N层的X值固定。
2.根据权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，所述MQW单元的个数为14～16个。
3.根据权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，各所述InXGa(1-X)N层的厚度为2.5～3nm。
4.根据权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，各所述GaN层的厚度为11～12nm。
5.根据权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，所述P型AlGaN层的厚度为20～30nm。
6.根据权利要求1所述的外延层结构，其特征在于，所述掺Si-N型GaN层厚度为3～4μm。
7.一种如权利要求1～6中任一项所述LED外延层结构的生长方法，包括在衬底顶面上方依次生长掺Si-N型GaN层，MQW层和P型AlGaN层，生长所述MQW层的步骤包括依次叠置生长多个MQW单元，生长各所述MQW单元的步骤包括依次叠置生长InXGa(1-X)N层和GaN层，其特征在于，
生长各所述InXGa(1-X)N层的步骤中，所述InXGa(1-X)N层的生长温度为700～750℃，In的流速由700～2000sccm匀速渐变至2000～700sccm。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，各所述GaN层的生长温度为800～850℃。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，生长所述掺Si-N型GaN层的步骤中，Si掺杂浓度为1E+19-2E+19。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，生长所述P型AlGaN层的步骤中，生长温度为900～930℃，Al的掺杂浓度为1E+20～2E+20。
11.一种具有如权利要求1～6中任一项所述的LED外延层结构的LED芯片。
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