[发明专利]屏蔽栅极沟道金属氧化物半导体场效应管器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

    一个衬底；

    一个在衬底中的有源栅极沟道；以及

    一个在衬底中的源极多晶硅连接沟道；其中：

    所述的源极多晶硅连接沟道含有一个多晶硅电极；以及

    所述的多晶硅电极的顶面位于本体区的底面下方。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的半导体器件还包括一个用金属导体填充的接触孔，从多晶硅电极延伸到沉积在半导体器件顶面上的源极金属层。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述的接触孔宽度小于多晶硅电极的宽度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的源极多晶硅连接沟道的深度大于有源栅极沟道的深度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述的源极多晶硅连接沟道比有源栅极沟道要窄。

6.一种半导体器件，包括：

    一个衬底；

        一个在衬底中的有源栅极沟道，包括一个第一顶部栅极电极和一个第一底部源极电极；以及

        一个栅极滑道沟道，包括一个第二顶部栅极电极和一个第二底部源极电极；其中：

    所述的第二顶部栅极电极比第二底部源极电极要窄。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述的栅极滑道沟道为终止沟道，将低势能区与高势能区分离开。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述的栅极滑道沟道围绕并连接多个有源栅极沟道。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述的栅极滑道沟道含有作为栅极连接沟道的一部分。

10.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述的第二栅极电极的顶面位于半导体衬底的顶面下方。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述的第二顶部栅极电极，还通过一个直接设置在第二顶部栅极电极上方的栅极接触孔，连接到栅极金属上。

12.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括一个位于栅极滑道沟道的侧壁顶部附近的氮化物隔片。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述的第二顶部栅极电极的顶面位于氮化物隔片底面下方。

14.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，源极区的顶面与氮化物隔片的底面基本对齐。

15.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，有源栅极沟道具有一个内衬氧化物的有源栅极沟道壁，氧化物的第一厚度在有源栅极沟道的顶部，第二厚度在有源栅极沟道的底部，第二厚度大于第一厚度。

16.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述的栅极滑道沟道具有一个内衬氧化物的栅极滑道沟道壁，氧化物的第三厚度在栅极滑道沟道的上部，第四厚度在栅极滑道沟道的下部，第三厚度大于第四厚度。

17.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述的栅极滑道沟道比有源栅极沟道要宽。

18.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述的栅极滑道沟道具有第一个沟道壁和第二个沟道壁； 

        所述的第一个沟道壁内衬具有第一厚度的氧化物，位于第一个侧壁和第二个顶部栅极电极之间；以及 

        所述的第二个沟道壁内衬具有第二厚度的氧化物，第二厚度不同于第一厚度。

19.如权利要求18所述的半导体器件，其特征在于：

        所述的第一厚度大于第二厚度；以及 

        所述的第一个沟道壁比第二个沟道壁更靠近终止区。