[发明专利]一种铝镁尖晶石的低温制备方法有效
| 申请号： | 201410376697.2 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104150895A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 吕晓军;刘建华;李劼;赖延清 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C04B35/44 | 分类号： | C04B35/44;C04B35/622;C04B35/63 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 袁靖 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尖晶石 低温 制备 方法 | ||
1.一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于：以镁的氧化物、氢氧化物、碳酸盐中的一种或几种的混合物，和铝的氧化物、氢氧化物、碳酸盐中的一种或几种的混合物作为原料，在第一次球磨之前将原料和合成助剂进行配料并球磨混合均匀，再压制成型，在900～1100℃煅烧合成，将合成的铝镁尖晶石破碎得到的粉末和烧结助剂进行配料，球磨混合均匀，再压制成型，在1300～1500℃烧结，所述的合成助剂和烧结助剂均为K3AlF6、Na3AlF6、Li3AlF6、KF、NaF中的一种或几种的组合物。
2.根据权利要1所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，在合成和烧结过程中合成助剂和烧结助剂为至少含有K3AlF6、Na3AlF6、Li3AlF6中的一种或几种的组合物。
3.根据权利要求1所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，所述的原料纯度大于90％，粒径为2～200μm。
4.根据权利要求3所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，所述的原料纯度为92～98％；粒径为10～50μm。
5.根据权利要1所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，在合成和烧结过程中合成助剂和烧结助剂的添加量均为0.5～12wt.％。
6.根据权利要5所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，在合成和烧结过程中合成助剂和烧结助剂的添加量均为2～10wt.％。
7.根据权利要1所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，
原料和合成助剂通过行星球磨1～9h混合均匀，在10～50MPa下压制成型，然后煅烧合成铝镁尖晶石。
8.根据权利要1所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，
合成的铝镁尖晶石与烧结助剂通过行星球磨1～8h混合均匀，在100～300MPa下压制成型，然后烧结，得到铝镁尖晶石烧结体。
9.根据权利要1所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，煅烧时间为1～10h，烧结时间1-10h。
10.根据权利要1-9任一项所述的一种铝镁尖晶石的低温制备方法，其特征在于，烧结得到的铝镁尖晶石的参数为：合成率在90～98％；致密度在90～98％。
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