[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1导电型的第1GaN类半导体层；

第1导电型的第2GaN类半导体层，设在上述第1GaN类半导体层上，第1导电型的杂质浓度比上述第1GaN类半导体层低；

第2导电型的第3GaN类半导体层，设在上述第2GaN类半导体层上的一部分区域中；

第1导电型的第4GaN类半导体层，设在上述第3GaN类半导体层上，是外延生长层，第1导电型的杂质浓度比上述第2GaN类半导体层高；

栅极绝缘膜，设在上述第2GaN类半导体层、第3GaN类半导体层及第4GaN类半导体层上；

栅极电极，设在上述栅极绝缘膜上；

第1电极，设在上述第4GaN类半导体层上；

第2电极，设在上述第1GaN类半导体层的与上述第2GaN类半导体层相反的一侧；

第3电极，设在上述第2GaN类半导体层上；以及

多个第2导电型的第5GaN类半导体层，在上述第2GaN类半导体层上的一部分区域中将上述第1电极及上述第3电极包围且分别分离地设置，第2导电型的杂质浓度与上述第3GaN类半导体层大致相同。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述栅极绝缘膜与上述第2GaN类半导体层、第3GaN类半导体层及第4GaN类半导体层接触。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在上述第2GaN类半导体层上的一部分区域还具备与上述第3电极接触且第2导电型的杂质浓度与上述第3GaN类半导体层及上述第5GaN类半导体层大致相同的第2导电型的第6GaN类半导体层。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1电极被设在一端位于上述第4GaN类半导体层、另一端位于上述第3GaN类半导体层的槽内，并且上述第1电极与上述第3GaN类半导体层接触。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第2GaN类半导体层的膜厚是1μm以上且20μm以下，上述第2GaN类半导体层的第1导电型的杂质浓度是1×10¹⁶cm^－3以上且2×10¹⁷cm^－3以下。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第3GaN类半导体层的膜厚是0.1μm以上且2μm以下。

7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

上述第3GaN类半导体层、第5GaN类半导体层及第6GaN类半导体层的第2导电型的杂质浓度比上述第2GaN类半导体层的第1导电型的杂质浓度高一个数量级以上。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第1电极和上述第3电极由不同的材料形成。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第2GaN类半导体层和上述第3电极进行肖特基连接。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述第4GaN类半导体层和上述第1电极、以及上述第1GaN类半导体层和上述第2电极进行欧姆连接。