[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410376732.0 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104465742B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 斋藤尚史;蔵口雅彦;杉山仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，具备：
第1GaN类半导体的第1半导体层；
第2GaN类半导体的第2半导体层，设置在所述第1半导体层的上方，带隙比所述第1GaN类半导体小；
第3GaN类半导体的第3半导体层，设置在所述第2半导体层的上方，带隙比所述第2GaN类半导体大；
第4GaN类半导体的第4半导体层，设置在所述第3半导体层的上方，带隙比所述第3GaN类半导体小；
第5GaN类半导体的第5半导体层，设置在所述第4半导体层的上方，带隙比所述第4GaN类半导体大；
栅极绝缘膜，设置在所述第3半导体层、所述第4半导体层、以及所述第5半导体层上；
栅极电极，设置在所述栅极绝缘膜上；
源极电极，设置在所述第5半导体层上；以及
漏极电极，在所述第5半导体层上，相对于所述栅极电极，设置在与所述源极电极相反的一侧，
所述第1GaN类半导体为AlX1InY1Ga1－(X1+Y1)N，其中，0≤X1≤1、0≤Y1≤1、0≤X1+Y1＜1；
所述第2GaN类半导体为AlX2InY2Ga1－(X2+Y2)N，其中，0≤X2≤1、0≤Y2≤1、0≤X2+Y2＜1；
所述第3GaN类半导体为AlX3InY3Ga1－(X3+Y3)N，其中，0≤X3≤1、0≤Y3≤1、0≤X3+Y3＜1；
所述第4GaN类半导体为AlX4InY4Ga1－(X4+Y4)N，其中，0≤X4≤1、0≤Y4≤1、0≤X4+Y4＜1；
所述第5GaN类半导体为AlX5InY5Ga1－(X5+Y5)N，其中0≤X5≤1、0≤Y5≤1、0≤X5+Y5＜1，
所述X1、X3、X5满足X5＞X3≥X1的关系，
所述第1半导体层的膜厚是0.5μm以上，
所述第2半导体层的膜厚是300nm以下。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2半导体层的膜厚为100nm以下。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第3半导体层的膜厚为5nm以上且30nm以下。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第5半导体层为n型半导体。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
还具备设置在所述第3半导体层与所述第4半导体层之间的AlN层。
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