[发明专利]被动调Q微片激光器在审
| 申请号： | 201410377302.0 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104184027A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 卓朝旦 | 申请（专利权）人： | 奉化市宇创产品设计有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/067 | 分类号： | H01S3/067;H01S3/13 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 315500 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 被动 激光器 | ||
【权利要求书】：
1.一种被动调Q微片激光器，其特征在于：所述激光器包括激光二极管(1)、第一透镜(2)、偏振立方体分光镜(3)、分光镜(4)、第二透镜(5)、激光晶体(6)和半导体可饱和吸收镜(8)，所述第一透镜(2)设置在激光二极管(1)和偏振立方体分光镜(3)之间，依照光路依次设置第一透镜(2)、偏振立方体分光镜(3)、分光镜(4)、第二透镜(5)、激光晶体(6)和半导体可饱和吸收镜(8)。
2.根据权利要求1所述的被动调Q微片激光器，其特征在于：所述激光二极管(1)为泵浦激光二极管。
3.根据权利要求1所述的被动调Q微片激光器，其特征在于：所述第一透镜(2)的焦距为40mm，第二透镜(5)的焦距为19mm。
4.根据权利要求1所述的被动调Q微片激光器，其特征在于：所述激光晶体(6)为Nd：YVO4激光晶体。
5.根据权利要求1-4之一所述的被动调Q微片激光器，其特征在于：所述激光晶体(6)通过焊接架(7)焊接在热沉(9)上。
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