[发明专利]对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法

权利要求书

1.一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲；

步骤2：连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，并在向RRAM存储器加载了10^L_n次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效，在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^L_n，即得到耐久性参数为10^L_n-1次，其中L_n＝n-1，n为自然数。

2.根据权利要求1所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，步骤1中所述判断RRAM存储器当前所处的状态，是通过向RRAM存储器加载一个小电压来实现的，具体包括：

向RRAM存储器加载一个小电压，读出通过RRAM存储器的电流，根据读出的电流即可判断RRAM存储器当前所处的状态是高阻态还是低阻态。

3.根据权利要求2所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，所述小电压的范围在0.1V至0.3V之间。

4.根据权利要求2所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，步骤1中所述判断RRAM存储器当前所处的状态，以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲，如果RRAM存储器当前所处的状态是高阻态，则起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲；如果RRAM存储器当前所处的状态是低阻态，则起始向RRAM存储器加载的脉冲是擦除脉冲。

5.根据权利要求1所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，所述步骤2包括：

在向RRAM存储器加载了10^L₁次编程脉冲和擦除脉冲后即第1个测试周期，测试RRAM存储器所处的状态是否失效；在向RRAM存储器加载了10^L₂次编程脉冲和擦除脉冲后即第2个测试周期，测试RRAM存储器所处的状态是否失效；以此类推，在向RRAM存储器加载了10^L_n次编程脉冲和擦除脉冲后即第n个测试周期，测试RRAM存储器所处的状态是否失效；如果在第n个测试周期，即向RRAM存储器加载了10^L_n次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器所处的状态，发现RRAM存储器失效，则记录最后使RRAM器件失效的次数10^L_n，即得到耐久性参数为10^L_n-1次。

6.根据权利要求1所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，步骤2中所述在向RRAM存储器加载了10^L_n次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效，是通过向RRAM存储器加载一个小电压来实现的，具体包括：

向RRAM存储器加载一个小电压，读出通过RRAM存储器的电流，根据读出的电流即可判断RRAM存储器当前所处的状态是高阻态还是低阻态。

7.根据权利要求6所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，所述小电压的范围在0.1V至0.3V之间。

8.根据权利要求1所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法，其特征在于，步骤2中所述连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲，其中一个编程脉冲和一个擦除脉冲为一个脉冲周期，且编程脉冲和擦除脉冲二者的脉冲高度和脉冲宽度保持不变。