[发明专利]晶圆缺陷检测方法在审
| 申请号： | 201410377444.7 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104103545A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 | ||
1.一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，其包括以下步骤：
步骤S01，提供一晶圆以及该晶圆光刻所用的掩模版；
步骤S02，对该掩模版进行缺陷检测，得到含有缺陷位置信息的第一检测结果；
步骤S03，将该第一检测结果输入到晶圆缺陷检测设备中；
步骤S04，在晶圆缺陷检测设备中提高对该晶圆上与该掩模版缺陷位置信息的相对应位置的检测灵敏度，对该晶圆进行缺陷检测。
2.根据权利要求1所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于：该第一检测结果包括掩模版缺陷坐标轴图以及缺陷在该坐标轴图上的坐标。
3.根据权利要求2所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于：步骤S03包括根据掩模版缺陷在该坐标轴图上的位置，得到掩模版缺陷相对于掩模版图形上一固定点的具体位置信息，在晶圆缺陷检测设备中设定芯片图形相同位置的固定点，并将该掩模版缺陷的具体位置信息转移到芯片图形上。
4.根据权利要求3所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于：该固定点为掩模版图形的左下端点。
5.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于：步骤S03包括将该第一检测结果自动同步到晶圆缺陷检测设备的晶圆缺陷检测程序中，并由该晶圆缺陷检测程序读取。
6.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于：步骤S04中为提高相对应位置周围1-100μm的检测灵敏度。
7.根据权利要求1至4任一项所述的晶圆缺陷检测方法，其特征在于：步骤S04中为提高40-60％的检测灵敏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
