[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件的制备方法，包括：

步骤S1：提供基底，在所述基底上形成有第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的支撑材料层，其中，在所述支撑材料层上还形成有间隔设置的晶核种子；

步骤S2：图案化所述支撑材料层和所述晶核种子，以在所述第一牺牲材料层上形成间隔设置的至少两个支撑材料叠层；

步骤S3：对所述晶核种子进行退火，以将所述晶核种子转变成凸起；

步骤S4：在所述支撑材料叠层以及所述第一牺牲材料层上形成震荡膜材料层，以在所述凸起上形成震荡膜锚部，同时在所述震荡膜锚部之间形成震荡膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述支撑材料层选用无定型硅。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述晶核种子选用无定型硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S4包括：

步骤S41：在所述支撑材料叠层上和所述第一牺牲材料层上沉积震荡膜材料层，以覆盖所述支撑材料叠层和所述第一牺牲材料层；

步骤S42：图案化所述震荡膜材料层，以去除所述支撑材料叠层外侧的所述震荡膜材料层，以形成所述震荡膜锚部和所述震荡膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，在每个所述支撑材料叠层中至少形成有两个间隔设置的所述凸起。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

步骤S5：继续沉积所述第一牺牲材料层并图案化，以形成开口；

步骤S6：沉积第二牺牲材料层，以填充所述开口并覆盖所述第一牺牲材料层，同时在所述开口的上方形成凹槽；

步骤S7：在所述凹槽之间的所述第二牺牲材料层上形成若干定极板；

步骤S8：沉积限制层，以覆盖所述定极板和所述第二牺牲材料层；

步骤S9：图案化所述基底的背面，以露出所述第一牺牲材料层；

步骤S10：去除所述震荡膜中间部位上方和下方的所述第一牺牲材料层和所述第二牺牲材料层，以形成空腔。

7.一种MEMS器件，包括：

基底；

牺牲材料层，位于所述基底上；

震荡膜结构，包括震荡膜和位于所述震荡膜两端的震荡膜锚部，其中，所述震荡膜锚部呈凸起形状，嵌于所述牺牲材料层中，其中，所述凸起通过对无定型硅的晶核种子进行退火得到；

定极板，包括若干相互间隔的部分，位于所述震荡膜的上方；

空腔，位于所述震荡膜和所述定极板之间。

8.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述震荡膜锚部与牺牲材料层之间还形成有支撑材料叠层，所述支撑材料叠层包括支撑材料层以及位于其上的凸起。

9.根据权利要求8所述的MEMS器件，其特征在于，所述支撑材料层选用无定型硅，并对其退火。

10.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述震荡膜锚部包括至少两个相互连接的所述凸起形状。

11.根据权利要求7所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件还进一步包括位于所述震荡膜下方的传感开口，用于实现压力的传感。

12.一种电子装置，包括权利要求7-11之一所述的MEMS器件。