[发明专利]Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410377497.9 | 申请日： | 2014-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104157704A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 何俊;张俊;孙琳;杨平雄;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/12;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董红曼 |
| 地址： | 200062 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cu sub znsns 肖特基 二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构，其特征在于，其包括衬底(1)，金属底电极层(2)，Cu2ZnSnS4薄膜层(3)和金属顶电极层(4)；其中，在所述衬底(1)上，自下而上依次沉积所述金属底电极层(2)、Cu2ZnSnS4薄膜层(3)和金属顶电极层(4)。
2.如权利要求1所述的Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构，其特征在于，所述衬底(1)为玻璃、硅片或不锈钢柔性衬底。
3.如权利要求1所述的Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构，其特征在于，所述Cu2ZnSnS4薄膜层(3)的厚度为1.5～2.5微米；所述Cu2ZnSnS4薄膜层(3)采用溅射、蒸发、电化学或溶胶凝胶方法制备而成。
4.如权利要求1所述的Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构，其特征在于，所述金属底电极层(2)为钼；所述金属顶电极层(4)为铂或金。
5.如权利要求1-4中任一项所述的Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：
步骤(1)，衬底(1)清洗；
步骤(2)，用磁控溅射工艺，在所述衬底(1)上沉积底电极金属，形成所述金属底电极层(2)；
步骤(3)，用磁控溅射、蒸发、电化学或溶胶凝胶方法，在所述金属底电极层(2)上依次沉积金属Cu、Zn、Sn，然后将其进行快速硫化处理，形成Cu2ZnSnS4薄膜层(3)；
步骤(4)，在所述Cu2ZnSnS4薄膜层(3)上加盖掩模版，用磁控溅射工艺沉积顶电极金属，形成所述金属顶电极层(4)；
步骤(5)，快速热处理，制备得到所述的Cu2ZnSnS4肖特基二极管结构。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，沉积所述金属顶电极层(4)时使用圆形或栅状掩模版。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，所述磁控溅射沉积在20℃下进行。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述热处理在惰性气体保护下进行，自20℃起以5～20℃/秒的速度升温，至150～250℃保温，保温时间为5分钟。
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