[发明专利]图像显示装置及其制造方法无效
申请号: | 201410377560.9 | 申请日: | 2014-08-01 |
公开(公告)号: | CN104425517A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 铃木武;富田佳宏;平野浩一;新井康弘 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张莉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本公开涉及图像显示装置及其制造方法。更详细而言,本公开涉及无源型的图像显示装置及其制造方法。
背景技术
近年来,各种各样的平板显示器被开发。一般来说,在平板显示器中,设置了由利用了液晶、有机EL、电泳等的元件所构成的显示介质。
在制造图像显示装置时,在玻璃等的绝缘性基板上通过真空工艺(例如溅射)以及光刻来形成薄膜布线,接下来在形成了薄膜布线的基板上形成LCD等的图像显示部。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2003-108029号公报
发明内容
发明要解决的课题
作为图像显示装置也开发了大型的装置,但本申请发明者们发现了这样的图像显示装置中存在因制造而引起的生产率恶化等课题。
用于解决课题的技术手段
本公开的图像显示装置具有:
布线埋设层,其具有可挠性;
加厚布线,其埋设于布线埋设层(例如,以与布线埋设层的一个主面大致处于同一平面状态而埋设的加厚布线);
引出的下部电极,其与加厚布线电连接,并设置在布线埋设层的一个主面(即,成为与加厚布线大致处于同一平面状态的主面)上;
发光层,其设置在引出的下部电极上;以及
上部电极,其形成在发光层上。
发明效果
在本公开中,实现了能够应对大型化所伴随的各种课题的图像显示装置。具体来说,不仅因“加厚布线”而带来了电阻低的布线,而且因“布线埋设层”而有效地减小了“加厚布线”所伴随的凹凸的影响。即,按照本公开,能够获得适合大面积化的图像显示装置。
此外,从制造方法的角度来说,由于是将加厚布线按压于布线埋设构件的主面这种比较简便的工艺,因此能够高生产率地获得适于大面积化的图像显示装置。
附图说明
图1是示意性地示出本公开的图像显示装置的构成的剖面图(图1(a):加厚布线和布线埋设层成为“完全处于同一平面状态”的形态的图,图1(b):加厚布线从布线埋设层稍微突出的形态的图,图1(c):加厚布线从布线埋设层稍微凹下地埋设的形态的图)。
图2是示意性地示出本公开的图像显示装置(具有2层构造的布线埋设层的图像显示装置)的构成的剖面图。
图3是示意性地示出本公开的图像显示装置的适宜的构成形态的剖面图(图3(a):像素区域设置在避开了加厚布线上的区域的位置的构成形态的图,图3(b):像素区域设置在加厚布线上的构成形态的图)。
图4是示意性地示出本公开的图像显示装置(具有层间连接过孔(via hole)的图像显示装置)的构成的剖面图。
图5是示意性地示出本公开的图像显示装置(具有阻挡层的图像显示装置)的构成的剖面图。
图6是示意性地示出与本公开的图像显示装置的实际形态更接近的构成的俯视图以及剖面图。
图7是示意性地示出与本公开的图像显示装置的实际形态更接近的构成的俯视图以及剖面图。
图8(a)~(f)是示意性地示出本公开的图像显示装置的制造方法的工序剖面图。
图9是用于说明本公开的制造方法的工序(i)的示意剖面图。
图10(a)~(f)是示意性地示出本公开的图像显示装置的制造方法(设置层间连接过孔的形态)的工序剖面图。
图11(a)~(f)是示意性地示出本公开的图像显示装置的制造方法(设置阻挡层的形态)的工序剖面图。
符号说明
10 布线埋设层
11 布线埋设构件
14 可挠性薄膜
16 粘接剂层
20 加厚布线
22 载体
32 下部电极
35 发光层
8 上部电极
50 层间连接过孔
70 阻挡层
100 图像显示装置
具体实施方式
以下,参照附图,对本公开的实施方式进行说明。
在此,本发明者们发现了以下几个课题。
·图像显示装置越大型化(大面积化)则越无法忽视因布线电阻而引起的电压降。为了减少电压降,只要较厚地形成布线即可,但是用真空工艺来形成厚的布线需要长时间的工艺时间,结果生产率下降。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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