[发明专利]基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器

权利要求书

1.一种基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器，其特征在于，包括三层陶瓷基板(S1、S2、S3)，含有两个耦合缝隙(C1、C2)的第一金属层(L1)，含有两个耦合缝隙(C12、C34)的第二金属层(L2)，第三金属层(L3)，八十二个金属化通孔(V1～V82)，由八十个金属化通孔(V3～V82)和第二层陶瓷基板(S2)、第三层陶瓷基板(S3)形成的四个谐振腔(R1、R2、R3、R4)，第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)之间的第一耦合缝隙(C12)，第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)之间的第二耦合缝隙(C23)，第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)之间的第三耦合缝隙(C34)，以及第一层陶瓷基板(S1)和第一金属化通孔(V1)构成的输入端口(P1)，第一层陶瓷基板(S1)和第二金属化通孔(V2)构成的输出端口(P2)；

所述第一谐振腔(R1)由二十三个金属化通孔即第三～十七金属化通孔(V3、V4、V5、V6、V7、V8、V9、V10、V11、V12、V13、V14、V15、V16、V17)、第三十五～四十二金属化通孔(V35、V36、V37、V38、V39、V40、V41、V42)和第二层陶瓷基板(S2)、第一金属层(L1)、第二金属层(L2)形成；第二谐振腔(R2)由二十三个金属化通孔即第四十三～五十七金属化通孔(V43、V44、V45、V46、V47、V48、V49、V50、V51、V52、V53、V54、V55、V56、V57)、第七十五～八十二金属化通孔(V75、V76、V77、V78、V79、V80、V81、V82)和第三层陶瓷基板(S3)、第二金属层(L2)、第三金属层(L3)形成；第三谐振腔(R3)由二十三个金属化通孔即第五十五～七十七金属化通孔(V55、V56、V57、V58、V59、V60、V61、V62、V63、V64、V65、V66、V67、V68、V69、V70、V71、V72、V73、V74、V75、V76、V77)和第三层陶瓷基板(S3)、第二金属层(L2)、第三金属层(L3)形成；第四谐振腔(R4)由二十三个金属化通孔即第十五～三十七金属化通孔(V15、V16、V17、V18、V19、V20、V21、V22、V23、V24、V25、V26、V27、V28、V29、V30、V31、V32、V33、V34、V35、V36、V37)和第二层陶瓷基板(S2)、第一金属层(L1)、第二金属层(L2)形成；第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)通过第一耦合缝隙(C12)耦合，第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)通过第二耦合缝隙(C23)耦合，第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)通过第三耦合缝隙(C34)耦合。

2.根据权利要求1所述的基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器，其特征在于，所述第一金属层(L1)设置于第一层陶瓷基板(S1)和第二层陶瓷基板(S2)之间，第二金属层(L2)设置于第二层陶瓷基板(S2)和第三层陶瓷基板(S3)之间，第三金属层(L3)设置于第三层陶瓷基板(S3)的底部。

3.根据权利要求1所述的基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器，其特征在于，所述八十二个金属化通孔(V1～V82)，其中第一～二金属化通孔(V1～V2)设置于第一层陶瓷基板(S1)、第三～四十二金属化通孔(V3～V42)设置于第二层陶瓷基板(S2)、第四十三～八十二金属化通孔(V43～V82)设置于第三层陶瓷基板(S3)。

4.根据权利要求1所述的基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器，其特征在于，所述第一耦合缝隙(C12)是第一谐振腔(R1)与第二个谐振腔(R2)之间的耦合缝隙，且第一耦合缝隙(C12)为设置于第二金属层(L2)的圆形缝隙；第二耦合缝隙(C23)是第五十五～五十七金属化通孔(V55、V56、V57)与第七十五～七十七金属化通孔(V75、V76、V77)之间的缝隙；第三耦合缝隙(C34)是第三谐振腔(R3)与第四谐振腔(R4)之间的耦合缝隙，且第三耦合缝隙(C34)为设置于第二层金属层(L2)的两个对称长方形缝隙。

5.根据权利要求1所述的基于LTCC的E波段高抑制带通滤波器，其特征在于，所述第十五～十七金属化通孔(V15、V16、V17)与第三十五～三十七金属化通孔(V35～V37)不仅为第一谐振腔(R1)和第四谐振腔(R4)提供边界，而且能够通过调整第十五～十七金属化通孔(V15、V16、V17)与第三十五～三十七金属化通孔(V35～V37)在第一谐振腔(R1)的位置从而调整第四谐振腔(R4)的谐振频率；第二层金属层(L2)的圆形第一耦合缝隙(C12)为第一谐振腔(R1)和第二谐振腔(R2)提供边界，并且能够通过调节第一耦合缝隙(C12)的大小调节第一谐振腔(R1)和第四谐振腔(R4)的谐振频率；第五十五～五十七金属化通孔(V55、V56、V57)与第六十五～六十七金属化通孔(V65、V66、V67)不仅为第二谐振腔(R2)和第三谐振腔(R3)提供边界，而且能够通过调整第五十五～五十七金属化通孔(V55、V56、V57)与第六十五～六十七金属化通孔(V65、V66、V67)在第二谐振腔(R2)的位置从而调整第三谐振腔(R3)的谐振频率，同时第七十七金属化通孔(V77)与第五十五金属化通孔(V55)为第二耦合缝隙(C23)提供边界；第二层金属层(L2)的第三耦合缝隙(C34)为第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)提供边界，并且通过调节第三耦合缝隙(C34)的长方形尺寸能够调节第三谐振腔(R3)和第四谐振腔(R4)的谐振频率。