[发明专利]真空镀膜装置及其真空镀膜方法

权利要求书

1.一种真空镀膜装置，适用于对玻璃基片的真空镀膜，其特征在于：包括主腔体、小腔体、蒸发管道、真空泵、晶振检测仪和设置有线性蒸发源的副腔体，所述主腔体内设置有用于玻璃基片传输的基片传输机构，所述主腔体位于所述副腔体上方并通过一可开闭的挡板与所述副腔体隔开，所述小腔体位于所述主腔体上方并通过一阀门与所述主腔体隔开，所述蒸发管道的入口与所述线性蒸发源相接触，所述蒸发管道的出口穿过所述挡板和主腔体朝向并临近所述阀门；所述晶振测试仪包括晶振片和检测机构，所述晶振片安装在所述小腔体内且位于所述蒸发管道出口的上方，所述检测机构测量晶振片本身的频率变化并计算出接近实际镀膜厚度的测量镀膜厚度和相应的测量膜厚速率；所述真空泵通过两条真空管道分别与主腔体和小腔体相连。

2.如权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述晶振片正对所述蒸发管道出口。

3.如权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于：两所述真空管道上均安装有真空闸阀。

4.如权利要求1所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述检测机构包括与所述晶振片相连的输入单元、与所述输入单元相连的比较处理单元、与所述比较处理单元相连的存储单元，以及与所述比较处理单元输出端相连的命令单元，所述命令单元的输出端与所述挡板相连并用于控制所述挡板的开闭。

5.如权利要求4所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述比较处理单元包括与所述输入单元相连的比较单元、与所述比较单元相连的计算单元，以及与所述计算单元相连的校正单元。

6.如权利要求5所述的真空镀膜装置，其特征在于：所述校正单元包括距离校正单元和角度校正单元。

7.使用如权利要求6所述的真空镀膜装置对玻璃基片进行的真空镀膜的真空镀膜方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)将待镀膜的玻璃基片输送至主腔体的预定位置；

(2)开启真空泵对主腔体和小腔体抽真空，直至主腔体和小腔体内的真空度达到预定值时停止抽真空；

(3)加热线性蒸发源，并打开阀门，通过蒸发管道将蒸发材料分子传输到所述晶振片上；

(4)所述检测机构上测量晶振片的频率变化并计算出接近实际镀膜厚度的测量镀膜厚度及其相应的测量镀膜速率；

(5)当测量膜厚速率稳定后打开挡板，从而将蒸发材料蒸镀到玻璃基片上。

8.如权利要求7所述的真空镀膜方法，其特征在于：步骤(4)具体包括以下步骤：

(A1)输入单元将测得的晶振片的本身频率转换成相应的初始信号输送至比较处理单元；

(A2)比较处理单元接受所述初始信号后进行比较处理得出所述晶振片的频率变化，再通过晶振片的频率变化计算得出接近实际镀膜厚度和膜厚速率的测量镀膜厚度信号和测量膜厚速率信号，并在所述测量膜厚速率信号稳定后向命令单元输送镀膜信号；

(A3)命令单元接受所述镀膜信号，并向所述挡板发出打开命令，控制所述挡板打开。

9.如权利要求8所述的真空镀膜的方法，其特征在于：步骤(A2)具体包括以下步骤：

(B1)所述比较处理单元的比较单元接受所述初始信号后将所述初始信号与存储单元中存储的在先初始信号进行比对并得到包含晶振片频率变化信息的频率变化信号，并将所述频率变化信号输送到计算单元；

(B2)所述计算单元接受所述频率变化信号后根据晶振片的频率变化计算得到包含晶振片镀膜厚度信息的原始镀膜厚度信号，并将所述原始镀膜厚度信号输送至校正单元；

(B3)校正单元根据蒸发材料分子从线性蒸发源传输到所述晶振片上的输送状况对所述原始镀膜厚度信号进行校正，得到接近实际镀膜厚度的测量镀膜厚度信号并将所述测量镀膜厚度信号输送回所述计算单元；

(B4)计算单元接受所述测量镀膜厚度信号后计算得到相应的测量膜厚速率信号，并在所述膜厚速率信号稳定后向命令单元发出镀膜信号。

10.如权利要求9所述的真空镀膜的方法，其特征在于：步骤(B3)具体包括以下步骤：

(C1)所述校正单元的距离校正单元接受所述原始镀膜厚度信号并根据蒸发材料分子从线性蒸发源传输到所述晶振片上的距离偏差对上述原始镀膜厚度信号进行校正，得到初始校正信号；

(C2)角度校正单元接受所述初始校正信号并根据蒸发材料分子从线性蒸发源传输到所述晶振片上的角度偏差，对初始校正信号进行校正，得到接近实际镀膜厚度的测量镀膜厚度信号，并将所述测量镀膜信号传回所述计算单元。