[发明专利]半导体开关电路、信号处理装置以及超声波诊断装置

权利要求书

1.一种半导体开关电路，其特征在于，具备：

第1开关对，其由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET、以及在栅极、源极间逆向连接的齐纳二极管构成；

第2开关对，其由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET、以及在栅极、源极间逆向连接的齐纳二极管构成；

第3开关对，其由连接栅极彼此和源极彼此的2个MOSFET构成；以及

浮栅控制电路，其通过被施加正的电源电压，来驱动所述第1开关对、所述第2开关对以及所述第3开关对，

所述第1开关对和所述第2开关对在2个输入输出端子间经由连接节点而串联连接，

该第3开关对连接于所述第1开关对与所述第2开关对之间的所述连接节点与接地之间，

所述浮栅控制电路具备：

逆变器，其使开关控制信号反转；

第1驱动电路，其基于所述逆变器的输出信号驱动所述第1开关对；

第2驱动电路，其基于所述逆变器的输出信号驱动所述第2开关对；以及

第3驱动电路，其基于所述开关控制信号驱动所述第3开关对，

所述第1驱动电路以及所述第2驱动电路分别具备P沟道型MOSFET、第1二极管、第2二极管和连接于所述接地的N沟道型MOSFET，

所述P沟道型MOSFET、所述第1二极管、所述第2二极管和所述N沟道型MOSFET串联连接，该第1二极管与该第2二极管的连接节点构成输出节点，连接该P沟道型MOSFET和该N沟道型MOSFET的栅极彼此来构成输入节点，

所述浮栅控制电路基于被输入的开关控制信号，来切换使所述第1开关对以及所述第2开关对接通且使所述第3开关对断开、或者使所述第1开关对以及所述第2开关对断开且使所述第3开关对接通，

所述浮栅控制电路被提供比施加给所述输入输出端子的最大电压低的低压电源。

2.根据权利要求1所述的半导体开关电路，其特征在于，

所述第3驱动电路具备P沟道型MOSFET、二极管和连接于所述接地的N沟道型MOSFET，

所述P沟道型MOSFET、所述二极管和所述N沟道型MOSFET串联连接，该P沟道型MOSFET与该二极管的连接节点构成输出节点，连接该P沟道型MOSFET和该N沟道型MOSFET的栅极彼此来构成输入节点。

3.根据权利要求1所述的半导体开关电路，其特征在于，

集成有多个所述第1开关对、所述第2开关对以及所述第3开关对的组合和所述浮栅控制电路。

4.根据权利要求1所述的半导体开关电路，其特征在于，

该半导体开关电路是将所述输入输出端子的一方的电压向另一方传递，或者将所述输入输出端子的另一方的电压向一方传递的双向模拟开关。

5.根据权利要求1所述的半导体开关电路，其特征在于，

构成所述第1开关对的MOSFET和构成所述第2开关对的MOSFET的电流性能全部相等。

6.根据权利要求1所述的半导体开关电路，其特征在于，

在所述第1开关对和所述第2开关对中，

各齐纳二极管的齐纳电压在所述低压电源的电压以上且各MOSFET的栅极耐压以下。

7.一种信号处理装置，其特征在于，

具备权利要求1所述的半导体开关电路。

8.一种超声波诊断装置，其特征在于，具备：

权利要求1所述的半导体开关电路；和

连接所述半导体开关电路的压电探头。