[发明专利]高纯度镱、包含高纯度镱的溅射靶、含有高纯度镱的薄膜及高纯度镱的制造方法在审
| 申请号： | 201410380070.4 | 申请日： | 2008-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104232946A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 新藤裕一朗;八木和人 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22B59/00 | 分类号： | C22B59/00;C22C28/00;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纯度 包含 溅射 含有 薄膜 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高纯度镱，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，并且碱金属和碱土金属的各元素分别为50重量ppm以下。
2.如权利要求1所述的高纯度镱，其特征在于，氧含量为200重量ppm以下。
3.一种包含高纯度镱的溅射靶，其特征在于，所述高纯度镱的除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，并且碱金属和碱土金属的各元素分别为50重量ppm以下。
4.如权利要求3所述的包含高纯度镱的溅射靶，其特征在于，氧含量为200重量ppm以下。
5.一种薄膜，其含有具有权利要求1或2中任一项所述的组成的高纯度镱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于JX日矿日石金属株式会社，未经JX日矿日石金属株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410380070.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
