[发明专利]用于驱动变压器的PWM死区吸收电路

说明书

技术领域

本发明属于电力电子领域，具体涉及一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路。

背景技术

驱动变压器在开关电源中被要求用来控制电路之间的同步动作，这些器件用来为开关电源半导件元器件如高压功率MOSFET或IGBT提供电脉冲，这种变压器也用作电压隔离和阻抗匹配。

驱动变压器是用来驱动电子开关器件门电路的基本脉冲变压器，设计这类变压器时，是假定其脉冲的上升、下降都是最佳的值，由于变压器所储能量不能瞬间变化，因此不加处理就会使脉冲的上升、下降时间延长，或者发生震荡，影响开关器件的性能，甚至使开关器件同时导通，发生短路事故。

发明内容

为了克服驱动变压器在PWM死区时间能量释放不彻底缺点，本发明提供了一种主动释放能量的用于驱动变压器的PWM死区吸收电路。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，包括变压器T1，与变压器T1输入端连接的功率MOSFET管M1、M2和二极管D1、D2，且所述二极管D1、D2的正极分别连接至变压器T1输入端的两端，二极管D1、D2的负极相连；功率MOSFET管M1、M2的漏极分别与二极管D1、D2的正极相连，功率MOSFET管M1、M2的源极分别接地；

变压器输入端线圈L1和L2串联，线圈L1与二极管D1和功率MOSFET管M1的公共端相连，线圈L2与二极管D2和功率MOSFET管M2的公共端相连，且线圈L1和线圈L2的公共端连接至电源VCC；二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接电源VCC，PWM A和PWM B信号输入或非门U1的输入端，PWM A和PWM B是相位互补的两路方波，或非门U1输出端连接电容C1，电容C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极；并且，PWM A和PWM B信号分别输入至功率MOSFET管M1、M2的栅极。

进一步的，所述二极管D1、D2为快速恢复二极管，组成吸收能量的单向通道。

本发明的有益效果是：或非门U1与电容C1、电阻R1、二极管D3、可控硅SCR组成吸收能量的控制电路，驱动变压器中的能量有效释放，驱动波形迅速下降，主动释放能量。

附图说明

下面结合附图对本发明做进一步的描述。

图1为本发明电路原理图；

图2为本发明驱动变压器输出波形。

具体实施方式

如图1所示，一种用于驱动变压器的PWM死区吸收电路，包括变压器T1，与变压器T1输入端连接的功率MOSFET管M1、M2和二极管D1、D2，二极管D1、D2的负极连接可控硅SCR正极，可控硅SCR负极和二极管D3正极连接电源电源VCC，或非门U1输出端连接电容C1，电容C1的另一端连接二极管D3的负极，并与电阻R1相连，电阻R1另一端连接可控硅SCR触发极；功率MOSFET管M1、M2的输入端分别连接PWM A和PWM B管。

所述二极管D1、D2为快速恢复二极管，组成吸收能量的单向通道。

所述二极管D3、电容C1、电阻R1组成自举驱动电路。

PWM A和PWM B是相位互补的两路方波。当PWM A和PWM B都是低电平，即死区时间，存储在驱动变压器中的能量不能有效的释放，使驱动波形不能迅速下降或产生震荡。此时，或非门U1输出高电平，使电容C1与电阻R1之间电位高于电源电源VCC，可控硅SCR导通，驱动变压器中的能量有效释放，驱动波形迅速下降。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。