[发明专利]一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法在审
| 申请号： | 201410382392.2 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104178807A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 金施耐;许桢;金东植 | 申请（专利权）人： | 上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/22 | 分类号： | C30B25/22;C30B29/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 分解 特性 获得 支撑 氮化 镓基板 方法 | ||
1.一种利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)：在蓝宝石基板(1)上依次生长第一缓冲层(3)、第二缓冲层(4)；
步骤2)：在第二缓冲层(4)上高温生长氮化镓厚膜层(2)；
步骤3)：在氮化镓厚膜层(2)生长时，第一缓冲层(3)高温热分解为镓(Ga)和氮气(N)，使氮化镓厚膜层(2)与蓝宝石基板(1)之间产生空隙；
步骤4)：氮化镓厚膜层(2)生长完后，在冷却过程中氮化镓厚膜层(2)与蓝宝石基板(1)逐渐分离，得到的氮化镓基板。
2.如权利要求1所述的利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法，其特征在于，所述步骤1)中第一缓冲层(3)是通过HVPE生长出来的氮化镓，它是在600～800℃温度中生长的，其生长厚度为1～3μm，V/III比为10～100。
3.如权利要求1所述的利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法，其特征在于，所述步骤1)中第二缓冲层(4)是在第一缓冲层(3)生长完成后升温至900℃生长的，其厚度为50～100μm，V/III比为10～1000。
4.如权利要求1所述的利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法，其特征在于，所述步骤2)与步骤1)之间，第二缓冲层(4)还升温至1000℃经热处理。
5.如权利要求4所述的利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法，其特征在于，所述步骤2)中氮化镓厚膜层(2)是在第二缓冲层(4)经热处理后继续升温至1200℃生长的，其厚度为300μm以上，V/III比为10～50。
6.如权利要求1所述的利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法，其特征在于，所述第一缓冲层在温度达到900℃以上时热分解为液体镓(Ga)和氮气(N)。
7.如权利要求1所述的利用热分解特性获得自支撑氮化镓基板的方法，其特征在于，所述氮化镓可用氮化铝或氮化铟替代，制备氮化铝或氮化铟厚膜层。
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