[发明专利]一种单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法有效
| 申请号： | 201410382393.7 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104143594A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 金施耐;许桢;金东植 | 申请（专利权）人： | 上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 翁若莹 |
| 地址： | 201108 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 生长 缓冲 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)：按照HVPE法在蓝宝石基板上生长GaN单结晶膜：包括生长第一缓冲层的阶段，第二缓冲层的阶段，第三缓冲层的阶段；
步骤2)：步骤1)制得的蓝宝石基板经HCI处理后，GaN单结晶膜形成拥有纳米多孔型结构的GaN薄膜缓冲层，并且在纳米多孔型结构的GaN薄膜缓冲层上再依次生长第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层，生长出垂直型GaN结晶，即得GaN单结晶基板。
2.如权利要求1所述的单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法，其特征在于，所述第一缓冲层，第二缓冲层和第三缓冲层是V/III比例逐渐减少的倾向而生长，各层的厚度依次为1～3μm、1～5μm、1～7μm。
3.如权利要求1所述的单晶氮化镓生长所需的缓冲层的形成方法，其特征在于，所述步骤2)中的HCl处理在500～1200℃进行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司，未经上海世山科技有限公司;上海正帆科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410382393.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
