[发明专利]V波段大功率宽带3dB正交耦合器带状三维版图拓扑架构

权利要求书

1.一种V波段大功率宽带3dB正交耦合器带状三维版图拓扑架构，包括有1张上带状PCB单面板（1），1张带状PCB双面板（2）和1张下带状PCB单面板（3），从上至下依次通过安装定位孔h1、h2和h3，并经铆钉（4）紧密衔接，相结合构成一个叠层式模块化结构整体，其特征是：

所述带状PCB双面板（2），其上、下两面分别设置有上蛇形带状印制线（21）和下蛇形带状印制线（23），采用蛇形带状印制线，用以缩小器件整体尺寸。

2.如权利要求1所述的V波段大功率宽带3dB正交耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是：

所述上蛇形带状印制线（21）和下蛇形带状印制线（23），它们的耦合部分弯曲处采用圆滑的圆弧过渡，且圆弧的半径大于1.5倍该处带线的线宽，用以减小阻抗不连续性，提高耦合器的整体性能。

3.如权利要求1所述的V波段大功率宽带3dB正交耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是：

所述上蛇形带状印制线（21）和下蛇形带状印制线（23），它们的蛇形带状印制线弯曲次数应尽可能少，用以减小阻抗不连续性，提高耦合器的整体性能。

4.如权利要求1所述的V波段大功率宽带3dB正交耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是：

所述上蛇形带状印制线（21），又包括有耦合线（212）、非耦合线（211）、非耦合线（213）；非耦合线（211），引出用作耦合器整体的输入端口，非耦合线（213），引出用作耦合器整体的直通端口。

5.如权利要求1所述的V波段大功率宽带3dB正交耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是：

所述下蛇形带状印制线（23），又包括有耦合线（232）、非耦合线（231）、非耦合线（233）；非耦合线（231），引出用作耦合器整体的耦合端口，非耦合线（233），引出用作耦合器整体的隔离端口。

6.如权利要求1所述的V波段大功率宽带3dB正交耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是：

所述上带状PCB单面板（1）和下带状PCB单面板（3），尺寸均完全相同，且朝外一面为敷铜镀银层；朝内一面为介质基板，分别对应与带状PCB双面板（2）中的上蛇形带状印制线（21）和下蛇形带状印制线（23）相衔接。

7.如权利要求6所述的V波段大功率宽带3dB正交耦合器带状三维版图拓扑架构，其特征是：

所述上带状PCB单面板（1）和下带状PCB单面板（3）的敷铜镀银层为接地面，通过在定位孔h1、h2、h3中安装铆钉（4）实现共地。