[发明专利]一种适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分有效
申请号: | 201410383758.8 | 申请日: | 2014-08-06 |
公开(公告)号: | CN104141086A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 邢大伟 | 申请(专利权)人: | 邢大伟 |
主分类号: | C22C30/02 | 分类号: | C22C30/02;H01L23/29 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适合于 熔炼 铸造 生产 铝合金 电子 封装 材料 合金 成分 | ||
1.一种适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比):硅铝合金:85~95%,磷:0.3~0.9%,锶:0.3~0.9%,硼:0.1~1.5%,镁:1.0~3.5%,铜:1.0~5.0%,铌:0.5~5.0%,钼:0.5~5.0%,稀土:0.02~0.2%。
2.根据权利要求1所述的适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述硅铝合金中,硅:50~70wt.%,铝:30~50wt.%。
3.根据权利要求1所述的适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述硅铝合金合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比):Si50Al50:93.35%、Mg:2.5%、Cu:1.0%、B:0.1%、P:0.5%、Nb:1.0%、Mo:1.0%、Sr:0.5%、Re:0.05%。
4.根据权利要求1所述的适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述硅铝合金合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比):Si60Al40:89.55%、Mg:3.0%、Cu:1.5%、B:1.2%、P:0.3%、Nb:2.0%、Mo:1.5%、Sr:0.8%、Re:0.15%。
5.根据权利要求1所述的适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述硅铝合金合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比):Si70Al30:85.8%、Mg:1.5%、Cu:3.5%、B:0.6%、P:0.8%、Nb:3.5%、Mo:4.0%、Sr:0.2%、Re:0.1%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于邢大伟,未经邢大伟许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410383758.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:掩膜组件
- 下一篇:一种钴基合金材料及其制造方法