[发明专利]一种适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分有效

专利信息
申请号: 201410383758.8 申请日: 2014-08-06
公开(公告)号: CN104141086A 公开(公告)日: 2014-11-12
发明(设计)人: 邢大伟 申请(专利权)人: 邢大伟
主分类号: C22C30/02 分类号: C22C30/02;H01L23/29
代理公司: 代理人:
地址: 150001 黑龙江省哈尔滨*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 适合于 熔炼 铸造 生产 铝合金 电子 封装 材料 合金 成分
【权利要求书】:

1.一种适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比):硅铝合金:85~95%,磷:0.3~0.9%,锶:0.3~0.9%,硼:0.1~1.5%,镁:1.0~3.5%,铜:1.0~5.0%,铌:0.5~5.0%,钼:0.5~5.0%,稀土:0.02~0.2%。

2.根据权利要求1所述的适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述硅铝合金中,硅:50~70wt.%,铝:30~50wt.%。

3.根据权利要求1所述的适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述硅铝合金合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比):Si50Al50:93.35%、Mg:2.5%、Cu:1.0%、B:0.1%、P:0.5%、Nb:1.0%、Mo:1.0%、Sr:0.5%、Re:0.05%。

4.根据权利要求1所述的适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述硅铝合金合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比):Si60Al40:89.55%、Mg:3.0%、Cu:1.5%、B:1.2%、P:0.3%、Nb:2.0%、Mo:1.5%、Sr:0.8%、Re:0.15%。

5.根据权利要求1所述的适合于熔炼铸造法生产硅铝合金电子封装材料的合金成分,其特征在于所述硅铝合金合金成分由以下合金元素组合而成(质量百分比):Si70Al30:85.8%、Mg:1.5%、Cu:3.5%、B:0.6%、P:0.8%、Nb:3.5%、Mo:4.0%、Sr:0.2%、Re:0.1%。

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