[发明专利]一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片

权利要求书

1.一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，其特征在于，包括以下步骤：

提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直。

2.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3、∑5、∑7、∑9、∑11或∑13类型晶界。

3.如权利要求2所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3或∑5类型晶界。

4.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，生长面为(100)晶向的籽晶的侧面晶向为(310)或(210)晶面族的晶向；生长面为(110)晶向的籽晶的侧面晶向为(111)或(100)晶面族的晶向；生长面为(111)晶向的籽晶的侧面晶向为(112)或(110)晶面族的晶向。

5.如权利要求1或4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶为生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(210)晶面族的晶向的正方形籽晶。

6.如权利要求1或4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶为生长面晶向为(110)晶面族的晶向、侧面晶向为(111)晶面族的晶向的菱形籽晶。

7.如权利要求1或4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶为生长面晶向为(111)晶面族的晶向、侧面晶向为(112)晶面族的晶向的三角形籽晶。

8.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，通过以下方法使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界：

在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触，相邻两个籽晶的生长面晶向相同，然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180度使得相邻两个籽晶的生长面的晶向相反，同时相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界。

9.一种准单晶硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直；

(2)在所述籽晶层上填装硅料和掺杂剂，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭；

(3)将所述准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到所述准单晶硅片。

10.一种准单晶硅片，其特征在于，所述准单晶硅片为按照权利要求9所述的制备方法制得。