[发明专利]适用于去除蚀刻后的光致抗蚀剂和底部抗反射涂层的组合物

权利要求书

1.一种水基去除用组合物，该组合物适用于将光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置基片上去除，所述组合物由在水性介质中的至少一种离液序列高的溶质和至少一种碱性盐所组成，其中该至少一种离液序列高的溶质包括选自如下的离液序列高的物质：2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪；1,3,5-三嗪；2,4-二氨基-6-苯基-l,3,5-三嗪；2-氯-4,6-二氨基-l,3,5-三嗪；2,4,6-三甲氧基-l,3,5-三嗪；2,4-二氨基-l,3,5-三嗪；2-氨基-l,3,5-三嗪；2-氨基-4-乙氧基-6-(甲氨基)-l,3,5-三嗪；2-甲氧基-4-甲基-6-(甲氨基)-l,3,5-三嗪；及其组合，且其中该去除用组合物适用于将光致抗蚀剂和/或BARC材料从其所在的微电子装置上去除,

其中基于组合物的总重量而言，所述组合物包含如下的组分：

60.0％重量-98.0％重量水性介质

1.0％重量-30.0％重量离液序列高的溶质；和

1.0％重量-10.0％重量碱性盐，

其中组合物的这些组分的重量百分比总计不超过100％重量，且

其中所述至少一种碱性盐包含不含金属离子的氢氧化物。

2.权利要求1的组合物，其中该至少一种碱性盐包括(NR¹R²R³R⁴)OH，其中R¹、R²、R³和R⁴相互间可以是相同或不同的，各自独立地选自氢和C₁-C₆烷基。

3.权利要求1的组合物，其中所述组合物具有的pH值大于13。

4.一种水基去除用组合物，该组合物适用于将光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层(BARC)材料从其所在的微电子装置基片上去除，其中所述组合物选自配方C-E，其中所有的百分比都是基于配方的总重量而按重量计的：

配方C

配方D

和

配方E

5.一种将光致抗蚀剂和/或BARC材料从所述材料所在的基片上去除的方法，所述方法包括使基片与水基去除用组合物接触足够的时间，从而至少部分地将所述材料从基片上去除，其中水基去除用组合物由在水性介质中的至少一种离液序列高的溶质和至少一种碱性盐所组成，其中该至少一种离液序列高的溶质包括选自如下的离液序列高的物质：2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪；1,3,5-三嗪；2,4-二氨基-6-苯基-l,3,5-三嗪；2-氯-4,6-二氨基-l,3,5-三嗪；2,4,6-三甲氧基-l,3,5-三嗪；2,4-二氨基-l,3,5-三嗪；2-氨基-l,3,5-三嗪；2-氨基-4-乙氧基-6-(甲氨基)-l,3,5-三嗪；2-甲氧基-4-甲基-6-(甲氨基)-l,3,5-三嗪；及其组合，

其中基于组合物的总重量而言，所述水基去除用组合物包含如下的组分：

60.0％重量-98.0％重量水性介质

1.0％重量-30.0％重量离液序列高的溶质；和

1.0％重量-10.0％重量碱性盐，

其中组合物的这些组分的重量百分比总计不超过100％重量，且

其中所述至少一种碱性盐包含不含金属离子的氢氧化物。

6.权利要求5的方法，其中所述基片包含微电子装置结构。

7.权利要求5的方法，其中所述材料包括选自如下的层：通过等离子体蚀刻硬化的光致抗蚀剂；通过离子注入硬化的光致抗蚀剂；和BARC。

8.权利要求5的方法，其中所述接触进行的时间为1分钟至60分钟。