[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

管芯；

第一导电柱，设置在所述管芯的焊盘上；

钝化件，设置在所述管芯的表面上方以及所述焊盘上方；

第一聚合物，设置在所述钝化件上方；

第二导电柱，设置为邻近所述管芯；以及

模塑件，包围所述第二导电柱和所述管芯，

其中，所述模塑件包括从所述第二导电柱的侧壁凸出并且设置在所述第二导电柱的顶面上的凸部，所述模塑件还包括设置在所述侧壁与所述钝化件之间以及所述侧壁与所述第一聚合物之间的部分；所述模塑件的凸部的顶面与所述第一导电柱的顶面齐平，所述第一导电柱和所述第二导电柱配置为将所述管芯内的电路与所述管芯外的电路电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的顶面高于所述第二导电柱的顶面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凸部包括从所述模塑件的顶面向所述第二导电柱的顶面延伸的凹部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电柱的顶面和所述第二导电柱的侧壁之间的所述第二导电柱内的夹角为30度至130度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凸部呈阶梯式结构。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的高度为50μm至500μm。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电柱的顶面呈朝向所述模塑件的顶面的凸形或者呈朝向所述第二导电柱的底面的凹形。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凸部从所述第二导电柱的侧壁凸起10μm至50μm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凸部包围与所述第二导电柱电连接的再分布层(RDL)的一部分。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电柱呈圆形或椭圆形。

11.一种半导体器件，包括：

管芯；

第一导电柱，设置在所述管芯的焊盘上；

钝化件，设置在所述管芯的表面上方以及所述焊盘上方；

第一聚合物，设置在所述钝化件上方；

第一再分布层(RDL)，设置在所述第一导电柱上，并且包括与所述第一导电柱的顶面相连接的第一延伸部；

第二导电柱，设置为邻近所述管芯；

模塑件，包括凹部，包围所述第二导电柱和所述管芯，并且包括从所述第二导电柱的侧壁凸出并且设置在所述第二导电柱的顶面上的凸部；所述模塑件还包括设置在所述侧壁与所述钝化件之间以及所述侧壁与所述第一聚合物之间的部分，以及

第二再分布层(RDL)，包括与所述第二导电柱的顶面相连接并且被所述模塑件的所述凹部包围的第二延伸部；

其中，所述模塑件的凸部的顶面与所述第一导电柱的顶面齐平，所述第一导电柱和所述第二导电柱配置为将所述管芯内的电路与所述管芯外的电路电连接。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二再分布层的所述第二延伸部的高度大于所述第一再分布层的所述第一延伸部的高度。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二导电柱的宽度大于所述第二再分布层的所述第二延伸部的宽度。

14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述模塑件的所述凹部包围部分聚合物。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中，所述部分聚合物包围所述第一再分布层的所述第一延伸部或者所述第二再分布层的所述第二延伸部。