[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

凸块下金属层(UBM)，位于介电层的上方，所述UBM具有沟槽，

其中，所述沟槽偏离所述UBM的中心点，

所述沟槽在所述沟槽的中心处具有基部。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述基部基本上是四边形。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述UBM基本上是四边形。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从所述沟槽的中心到所述UBM的边缘的第一距离，大于从所述沟槽的中心到所述UBM的相对边缘的第二距离。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一距离和第二距离之间的差值介于大约50μm到大约100μm之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽具有紧邻所述基部的周边部，

其中，从所述周边部的外边界到所述UBM的边缘的距离，不同于从所述基部的外边界到所述UBM的相对边缘的距离。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述沟槽具有第一周边部和第二周边部，所述第一周边部和所述第二周边部位于所述基部的相对两侧，

其中，所述UBM具有从所述第一周边部的外边界到所述UBM的第一边缘的第一距离，以及从所述第二周边部的外边界到所述UBM的第二边缘的第二距离，

所述第一边缘平行于所述第一周边部的外边界，所述第二边缘平行于所述第二周边部的外边界，

所述第一边缘与所述第二边缘相对，

所述第一距离大于所述第二距离。

8.一种半导体器件，包括：

钝化层，位于半导体衬底上方；

互连件，位于所述钝化层上方；

介电层，位于所述互连件上方，所述介电层包括配置为暴露所述互连件的一部分的开口；

凸块下金属层(UBM)，位于所述介电层上方，所述UBM延伸到所述开口内并与所述互连件电连接，其中，所述UBM包括沟槽组，所述沟槽组包括第一沟槽和第二沟槽；

凸块，设置在所述沟槽组处；以及

衬底，位于所述凸块上方，其中，所述衬底通过所述凸块与所述UBM电连接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述UBM具有第一裙部和第二裙部，

其中，所述第一裙部和所述第二裙部位于所述沟槽组的相对两侧上，

所述第一裙部的尺寸大于所述第二裙部的尺寸。

10.一种半导体器件制造方法，包括：

形成半导体衬底上方的钝化层；

形成所述钝化层上方的互连件；

形成所述互连件上方的介电层；以及

形成所述介电层上方的凸块下金属层(UBM)，

其中，所述UBM包括偏离所述UBM的中心点的沟槽。