[发明专利]一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法有效
| 申请号： | 201410385834.9 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104201255B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 胡晓龙;王洪;郑群儒;赵卓立;揭敢新 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 511400 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 gan 发光 器件 欧姆 接触 性能 方法 | ||
1.一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）提供蓝宝石为基底的GaN基发光外延片，并对外延片的p型GaN进行激活处理；
（2）对得到的样品进行清洗处理，在p型GaN一侧制作100 nm~300 nm厚度的铟锡氧化物ITO层；
（3）在氮气环境中，对样品进行退火处理，退火温度恒定在450℃~550℃，退火时间1分钟~15分钟；
（4）用酸溶液腐蚀，去除铟锡氧化物ITO；
（5）去除铟锡氧化物ITO后的样品表面进行p型GaN欧姆接触工艺，完成p型接触电极的制作。
2.根据权利要求1所述的一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，其特征在于步骤（5）所述p型GaN欧姆接触工艺包括制作Ni/Ag基反射电极和Ni/Au基电极。
3.根据权利要求1所述的一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，其特征在于步骤（1）具体是：在蓝宝石基底上利用金属有机气相化学沉积方法，依次沉积低温缓冲层、未掺杂的u型GaN层、掺Si的n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、掺Mg的AlGaN层和掺Mg的p型GaN层，并在外延生长后进行Mg激活。
4.根据权利要求1所述的一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，其特征在于步骤（2）所述铟锡氧化物ITO层采用电子束蒸发制作。
5.根据权利要求1所述的一种提升GaN基发光器件p型欧姆接触性能的方法，其特征在于步骤（4）所述酸溶液为HCl和HNO3的混合溶液。
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