[发明专利]一种防止电流反灌的装置

权利要求书

1.一种防止电流反灌的装置，其特征在于，包括：与隔离电源电路的电源输入端连接的采样电路、与所述采样电路连接的比较电路、与所述比较电路连接的隔离电路以及与所述隔离电路连接的驱动电路；其中

所述采样电路，用于实时采样所述隔离电源电路的电源输入电压，并将采样得到的电压信号输出给所述比较电路，其中所述隔离电源电路具有多个同步整流MOS管；

所述比较电路，用于比较所述电压信号与预设参考电压，并根据比较结果输出一控制信号；

所述隔离电路，用于接收所述比较电路的控制信号，并传递给所述驱动电路；

所述驱动电路，用于根据所述控制信号控制所述隔离电源电路的所述多个同步整流MOS管的开通或者关断，所述驱动电路还连接于所述隔离电源电路。

2.根据权利要求1所述的防止电流反灌的装置，其特征在于，所述采样电路包括：

第一电阻(R2)、第二电阻(R3)及第一电容(C2)；

其中，所述第二电阻(R3)的一端连接于所述隔离电源电路的输入端，所述第一电阻(R2)的一端与所述第一电容(C2)的一端连接，所述第二电阻(R3)的另一端连接于所述第一电阻(R2)的一端，且所述第二电阻(R3)的另一端还连接于所述采样电路的一个输入端；

所述第一电阻(R2)的另一端与所述第一电容(C2)的另一端接地连接。

3.根据权利要求2所述的防止电流反灌的装置，其特征在于，所述比较电路包括：具有正输入端、负输入端以及输出端的比较器(D1)，所述第二电阻(R3)的另一端连接于所述比较器(D1)的负输入端，所述预设参考电压输入所述比较器(D1)的正输入端，所述比较器(D1)的输出端连接于所述隔离电路，输出一所述控制信号。

4.根据权利要求3所述的防止电流反灌的装置，其特征在于，所述隔离电路包括：具有第一原边和第一副边的光耦合器、与所述光耦合器的第一原边连接的第一原边电路和与所述光耦合器的第一副边连接的第一副边电路；

其中所述第一原边电路包括：第三电阻(R4)、第一二极管(VD1)、第四电阻(R5)、第二电容(C3)、第一MOS晶体管(VT9)、第五电阻(R6)及第六电阻(R7)；

其中，所述第三电阻(R4)的一端与所述比较器(D1)的输出端连接，所述第三电阻(R4)的另一端与所述第一二极管(VD1)的输入端连接；

所述第四电阻(R5)的一端和所述第二电容(C3)的一端连接，所述第一二极管(VD1)的输出端连接于所述第四电阻(R5)的一端，所述第四电阻(R5)的另一端与所述第二电容(C3)的另一端接地连接；

所述第四电阻(R5)的一端还连接于所述第一MOS晶体管(VT9)的栅极；

所述第一MOS晶体管(VT9)的源极接地连接于所述第二电容(C3)的另一端；

所述第一MOS晶体管(VT9)的漏极连接于所述光耦合器的第一原边的输出端；

所述第五电阻(R6)的一端与第六电阻(R7)的一端连接，且所述第五电阻(R6)的一端还连接于内部电源电压(VCC)，所述第五电阻(R6)的另一端与第六电阻(R7)的另一端连接，且所述第五电阻(R6)的另一端还连接于所述光耦合器的第一原边的输入端；

其中所述第一副边电路包括：第七电阻(R8)、第八电阻(R9)、第九电阻(R10)、第三电容(C4)、第一三极管(VT10)、第四电容(C5)、第十电阻(R11)；

其中，所述第七电阻(R8)的一端接电源电压(VDD)，所述第七电阻(R8)的另一端与所述光耦合器的第一副边的输入端连接；

所述第八电阻(R9)的一端连接于所述光耦合器的第一副边的输出端；

所述第三电容(C4)的一端也连接于所述光耦合器的第一副边的输出端；

所述第八电阻(R9)的另一端与所述第九电阻(R10)的一端连接，所述第九电阻(R10)的另一端与所述第三电容(C4)的另一端接地连接；

所述第八电阻(R9)的另一端还连接于所述第一三极管(VT10)的基极，所述第一三极管(VT10)的发射极接地连接；

所述第四电容(C5)和所述第十电阻(R11)并联于所述第一三极管(VT10)的集电极与地之间，所述第四电容(C5)的一端与所述第十电阻(R11)的一端连接，所述第一三极管(VT10)的集电极连接于所述第四电容(C5)的一端，所述第四电容(C5)的另一端和所述第十电阻(R11)的另一端接地连接；

所述第一三极管(VT10)的集电极还连接于所述驱动器电路的控制信号输入端。