[发明专利]阻隔膜及其制作方法

权利要求书

1.一种阻隔膜，其特征在于，所述阻隔膜包括：

柔性基体；

第一无机氧化物薄膜，设置于所述柔性基体上，且所述第一无机氧化物薄膜由溅射或蒸发工艺制备而成；

第二无机氧化物薄膜，设置于所述第一无机氧化物薄膜上，且所述第二无机氧化物薄膜由化学气相沉积工艺制备而成；以及

保护膜，设置于所述第二无机氧化物薄膜上。

2.根据权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述第一无机氧化物薄膜和所述第二无机氧化物薄膜分别独立地选自氧化铟锡、氧化铝、氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化铪、氧化钽、氧化锗或氧化钒中的任一种。

3.根据权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述柔性基体的厚度为10～125μm，所述第一无机氧化物薄膜的厚度为10～100nm，所述第二无机氧化物薄膜的厚度为5～60nm。

4.根据权利要求3所述的阻隔膜，其特征在于，形成所述柔性基体的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺或聚苯乙烯。

5.根据权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述保护膜包括柔性聚合物材料层和设置于所述柔性聚合物材料层表面上的粘结层，所述柔性聚合物材料层的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯、聚丙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺或聚苯乙烯。

6.根据权利要求1所述的阻隔膜，其特征在于，所述阻隔膜还包括设置于所述柔性基体的表面上的硬化涂层，且所述第一无机氧化物薄膜设置于所述硬化涂层的表面上。

7.根据权利要求6所述的阻隔膜，其特征在于，形成所述硬化涂层的材料为硬化树脂和流平助剂的混合物，所述硬化树脂为改性聚氨脂丙烯酸酯、己基脂丙烯酸酯衍生物或二季戊四醇五丙烯酸酯。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的阻隔膜，其特征在于，所述阻隔膜用于电子元件的封装，所述电子元件为有机太阳能电池片、薄膜型锂离子电池或OLED器件。

9.一种阻隔膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供柔性基体；

通过溅射或蒸发工艺在所述柔性基体上形成第一无机氧化物薄膜；

通过化学气相沉积工艺在所述第一无机氧化物薄膜上形成第二无机氧化物薄膜；以及

在所述第二无机氧化物薄膜上形成保护膜。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，在形成所述保护膜的步骤中，通过覆膜工艺将所述保护膜贴合到所述第二无机氧化物薄膜上。

11.根据权利要求9或10所述的制作方法，其特征在于，在形成所述第一无机氧化物薄膜的步骤之前，所述制作方法还包括在所述柔性基体的表面上涂覆硬化涂层的步骤。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，形成所述硬化涂层的步骤包括：

将硬化树脂和流平助剂混合得到混合物，所述硬化树脂为改性聚氨脂丙烯酸酯、己基脂丙烯酸酯衍生物或二季戊四醇五丙烯酸酯；以及

将所述混合物涂布到所述柔性基体的表面上，以形成所述硬化涂层。

13.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺为低压化学气相沉积、常压化学气相沉积、亚常压化学气相沉积、超高真空化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、高密度等离子体化学气相沉积、快热化学气相沉积、原子层沉积、改良化学沉积法或金属有机化合物化学气相沉积。