[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410386885.3 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105448689B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 杨俊;蒋莉;黎铭琦;朱普磊;李先涛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
步骤S101：采用第一抛光浆料对铝栅极进行第一次化学机械抛光；
步骤S102：采用第二抛光浆料对所述铝栅极进行第二次化学机械抛光，其中所述第二抛光浆料的浓度小于所述第一抛光浆料的浓度；
步骤S103：对经抛光处理的所述铝栅极的表面进行清洗。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述第二抛光浆料包括在所述第二次化学机械抛光的过程中分别通入的第一抛光浆料和H2O2，其中所述第一抛光浆料的流速为25-200ml/min，所述H2O2的流速为200-500ml/min。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述第二抛光浆料为在所述第二次化学机械抛光之前采用H2O2稀释的第一抛光浆料，所述第二抛光浆料的流速为225-700ml/min，其中在所述第二抛光浆料中所述第一抛光浆料与所述H2O2的体积含量比为1：20-1：1。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，所述第二次化学机械抛光的工艺参数包括：平台转速为30-110rpm，下压力为0.8-2.5psi。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S103包括：
步骤S1031：利用第一清洗刷对所述铝栅极的表面进行第一次清洗，其中所采用的清洗液包括CP72B；
步骤S1032：通入H2O2并持续30-100s；
步骤S1033：利用第二清洗刷对所述铝栅极的表面进行第二次清洗，其中所采用的清洗液包括CP72B；
步骤S1034：通入H2O2并持续30-100s。
6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中，所述第一次清洗和所述第二次清洗的时间均为10-60s。
7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102与所述步骤S103之间还包括步骤S1023：
通入H2O2对所述铝栅极进行缓冲处理。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1023中，通入H2O2的时间为10-30s。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述第一次化学机械抛光的工艺参数包括：平台转速为30-110rpm，下压力为0.8-2.5psi。
10.一种电子装置，其特征在于，包括半导体器件以及与所述半导体器件相连接的电子组件，其中所述半导体器件的制造方法包括如下步骤：
步骤S101：采用第一抛光浆料对铝栅极进行第一次化学机械抛光；
步骤S102：采用第二抛光浆料对所述铝栅极进行第二次化学机械抛光，其中所述第二抛光浆料的浓度小于所述第一抛光浆料的浓度；
步骤S103：对经抛光处理的所述铝栅极的表面进行清洗。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410386885.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗类风湿关节炎的中药
- 下一篇：一种筋骨膏及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
