[发明专利]一种氮化镓器件及封装方法

权利要求书

1.一种氮化镓器件封装方法，其特征在于，包括：

将功率半导体芯片附接到第一引线框，将氮化镓芯片附接到第二引线框，所述第一引线框和所述第二引线框之间绝缘；

将所述功率半导体芯片的漏极以及所述氮化镓芯片的源极分别附接到所述第一引线框，将所述氮化镓芯片的栅极以及所述功率半导体芯片的源极分别附接到所述第二引线框；

将第三引线框的第一引线指附接到所述功率半导体芯片的栅极键合焊盘，将所述第三引线框的第二引线指附接到所述氮化镓芯片的漏极键合焊盘，将所述第三引线框的第三引线指附接到所述第二引线框。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述第三引线框的第一引线指附接到所述氮化镓器件的栅极管脚；

所述第三引线框的第二引线指附接到所述氮化镓器件的漏极管脚；

所述第三引线框的第三引线指附接到所述氮化镓器件的源极管脚。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述将功率半导体芯片附接到第一引线框，将氮化镓芯片附接到第二引线框包括：

将所述功率半导体芯片附接到所述第一引线框的管芯焊盘上，将所述氮化镓芯片附接到所述第二引线框的管芯焊盘上。

4.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述氮化镓芯片有源面包括栅极、源极和漏极，其中，源极位于有源面的左上方，栅极位于有源面的右上方，漏极位于有源面的正上方。

5.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述键合焊盘后，还包括：

将模塑料分配到所述第一引线框和所述第二引线框的顶面上。

6.一种氮化镓器件，其特征在于，包括：

第一引线框，所述第一引线框上附接有功率半导体芯片；

第二引线框，所述第二引线框上附接有氮化镓芯片；其中，所述所述第一引线框和所述第二引线框之间绝缘；

所述功率半导体芯片的漏极以及所述氮化镓芯片的源极分别附接到所述第一引线框，所述氮化镓芯片的栅极以及所述功率半导体芯片的源极分别附接到所述第二引线框；

第三引线框，所述第三引线框的第一引线指附接到所述功率半导体芯片的栅极键合焊盘，所述第三引线框的第二引线指附接到所述氮化镓芯片的漏极键合焊盘，所述第三引线框的第三引线指附接到所述氮化镓芯片的源极键合焊盘。

7.如权利要求6所述氮化镓器件，其特征在于，所述第三引线框的第一引线指附接到所述氮化镓器件的栅极管脚；

所述第三引线框的第二引线指附接到所述氮化镓器件的漏极管脚；

所述第三引线框的第三引线指附接到所述氮化镓器件的源极管脚。

8.如权利要求6所述氮化镓器件，其特征在于，所述功率半导体芯片附接到所述第一引线框的管芯焊盘上；

所述氮化镓芯片附接到所述第二引线框的管芯焊盘上。

9.如权利要求6所述氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓芯片有源面包括栅极、源极和漏极，其中，源极位于有源面的左上方，栅极位于有源面的右上方，漏极位于有源面的正上方。

10.如权利要求6所述氮化镓器件，其特征在于，所述第一引线框和所述第二引线框的顶面上分配有模塑料。