[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410387820.0 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104681579B | 公开(公告)日: | 2018-06-08 |
发明(设计)人: | 李在暎;朴埈远;李相炘;许海利;许训会;金智珉 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封结构 有机发光显示装置 薄膜晶体管阵列 有机发光器件 发光阵列 像素区域 支承基板 保护层 密封层 粘附 有机发光显示 薄膜晶体管 软材料 粘合层 阻挡层 基板 制造 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括:
支承基板,所述支承基板包括软材料;和
多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管在所述支承基板上并且与多个像素区域相对应;
发光阵列,所述发光阵列包括多个有机发光器件,所述多个有机发光器件在所述薄膜晶体管阵列基板上并且与所述多个像素区域相对应;
密封结构,所述密封结构在所述薄膜晶体管阵列基板上方,使得所述发光阵列插入在所述薄膜晶体管阵列基板和所述密封结构之间;以及
粘合层,所述粘合层在所述发光阵列和所述密封结构之间,
其中,所述密封结构包括:
保护层,所述保护层在所述发光阵列上;
密封层,所述密封层在所述薄膜晶体管阵列基板上方;以及
阻挡层,所述阻挡层将所述保护层和所述密封层彼此粘结,其中,所述阻挡层由具有透水属性的绝缘材料形成,
其中,所述阻挡层和所述保护层覆盖所述发光阵列的侧壁并且所述保护层直接接触所述发光阵列的所述侧壁,或者所述阻挡层覆盖所述发光阵列的侧壁并且直接接触所述发光阵列的所述侧壁。
2.根据权利要求1所述的装置,其中,所述粘合层包括选自以下各项中的一个或多个的透明且绝缘材料:烯烃基、丙烯基以及硅基绝缘材料。
3.根据权利要求2所述的装置,其中,所述粘合层包括具有憎水性和粘合属性的所述烯烃基绝缘材料。
4.根据权利要求2所述的装置,其中:
所述粘合层包括在两侧具有粘合表面的膜,并且
所述粘合层附着到所述发光阵列。
5.根据权利要求1所述的装置,其中,所述保护层包括含有氧化铝基材料的第一绝缘体层。
6.根据权利要求5所述的装置,其中,所述第一绝缘体层具有在20nm~50nm范围内的厚度。
7.根据权利要求5所述的装置,其中,所述保护层包括:
至少一个第一绝缘体层;以及
至少一个第二绝缘体层,所述至少一个第二绝缘体层在所述第一绝缘体层的上表面或下表面上,所述第二绝缘体层包括以下各项中的任何一个或多个:SiNx、SiOy以及SiOCz。
8.根据权利要求1所述的装置,其中,所述密封层包围所述发光阵列的所述侧壁。
9.一种有机发光显示装置的制造方法,所述方法包括:
提供薄膜晶体管阵列基板和发光阵列,所述薄膜晶体管阵列基板包括:支承基板,所述支承基板包括软材料;和多个薄膜晶体管,所述多个薄膜晶体管在所述支承基板上并且与多个像素区域相对应,并且所述发光阵列包括多个有机发光器件,所述多个有机发光器件在所述薄膜晶体管阵列基板上并且与所述多个像素区域相对应;
将粘合层提供到所述发光阵列的顶部,所述粘合层包括透明属性,所述粘合层的两个表面都是粘合表面;
在所述粘合层上提供保护层,所述保护层包括含有氧化铝的第一绝缘体层;
在所述保护层上对齐密封层以面对所述薄膜晶体管阵列基板;以及
使用在所述密封层和所述保护层之间的阻挡层将所述密封层附着到所述薄膜晶体管阵列基板,其中,所述阻挡层由具有透水属性的绝缘材料形成,
其中,所述阻挡层和所述保护层覆盖所述发光阵列的侧壁并且所述保护层直接接触所述发光阵列的所述侧壁,或者所述阻挡层覆盖所述发光阵列的侧壁并且直接接触所述发光阵列的所述侧壁。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述粘合层包括选自以下各项中的一个或多个的透明且绝缘材料:烯烃基、丙烯基以及硅基绝缘材料。
11.根据权利要求10所述的方法,其中,所述粘合层包括具有憎水性和粘合属性的所述烯烃基绝缘材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的