[发明专利]多级灰度光掩模、其制造方法以及显示装置的制造方法在审
申请号: | 201410389535.2 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN105022223A | 公开(公告)日: | 2015-11-04 |
发明(设计)人: | 金台勲;金成辰;李锡薫 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32;G03F1/80 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多级 灰度 光掩模 制造 方法 以及 显示装置 | ||
1.一种多级灰度光掩模的制造方法,是具有转印用图案的多级灰度光掩模的制造方法,所述转印用图案具备通过形成在透明基板上的遮光膜和半透光膜分别被图案化而形成的遮光部、半透光部和透光部,其特征在于,
所述转印用图案具有所述遮光部与所述透光部邻接的部分和所述半透光部与所述透光部邻接的部分,
所述多级灰度光掩模的制造方法具有:
准备在所述透明基板上形成有所述遮光膜的光掩模坯的工序;
蚀刻除去成为所述遮光部的区域以外区域的遮光膜从而形成所述遮光部的工序;
在形成有所述遮光部的所述透明基板上形成所述半透光膜的工序;
在所述半透光膜上形成在包括成为所述透光部的区域的区域具有开口的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案形成工序;
将所述抗蚀剂图案作为掩模来对所述半透光膜进行蚀刻的半透光膜蚀刻工序;以及
除去所述抗蚀剂图案的工序,
在所述抗蚀剂图案形成工序中,形成具有开口的抗蚀剂图案,所述开口的尺寸是对与所述遮光部邻接的成为所述透光部的区域的尺寸加上对准边缘后的尺寸,
在所述半透光膜蚀刻工序中,在所述抗蚀剂图案的开口内,成为所述透光部的区域的所述透明基板露出,并且在所述遮光部的与所述透光部邻接的边缘部分,所述遮光膜上的所述半透光膜在厚度方向至少一部分被蚀刻。
2.根据权利要求1所述的多级灰度光掩模的制造方法,其特征在于,
在所述半透光膜蚀刻工序中,所述遮光部中所述半透光膜在厚度方向至少一部分被蚀刻的边缘部分的、相对于所述多级灰度光掩模的曝光光线的光学密度亦即OD为2以上。
3.根据权利要求1或者2所述的多级灰度光掩模的制造方法,其特征在于,
所述半透光膜和所述遮光膜由能够用同一蚀刻液进行蚀刻的材料构成。
4.根据权利要求1或者2所述的多级灰度光掩模的制造方法,其特征在于,
所述半透光膜和所述遮光膜由能够用同一蚀刻液进行蚀刻的材料构成,并且所述半透光膜和所述遮光膜相对于所述同一蚀刻液的蚀刻速率比为5:1~50:1。
5.根据权利要求1或者2所述的多级灰度光掩模的制造方法,其特征在于,
所述对准边缘为0.25~0.75μm。
6.根据权利要求1或者2所述的多级灰度光掩模的制造方法,其特征在于,
所述半透光膜与所述遮光膜的蚀刻所需时间之比为1:5~1:50。
7.一种多级灰度光掩模,是具有转印用图案的多级灰度光掩模,所述转印用图案具备通过形成在透明基板上的遮光膜和半透光膜分别被图案化而形成的遮光部、半透光部和透光部,
所述多级灰度光掩模的特征在于,
所述转印用图案具有所述遮光部与所述透光部邻接的部分和所述半透光部与所述透光部邻接的部分,
在所述透光部,所述透明基板露出,
在所述半透光部,在所述透明基板上形成的所述半透光膜露出,
所述遮光部具有所述遮光膜与所述半透光膜层叠而成的层叠部分和所述遮光膜上的所述半透光膜在厚度方向至少一部分被蚀刻了的边缘部分,
所述边缘部分与所述透光部邻接,所述边缘部分的宽度为0.25~0.75μm,并且所述边缘部分的相对于曝光光线的光学密度亦即OD为2以上。
8.根据权利要求7所述的多级灰度光掩模,其特征在于,
所述转印用图案具备被所述半透光部夹持的所述透光部和被所述遮光部夹持的所述透光部。
9.根据权利要求7或者8所述的多级灰度光掩模,其特征在于,
所述半透光膜和所述遮光膜由能够用同一蚀刻液进行蚀刻的材料构成。
10.根据权利要求7或者8所述的多级灰度光掩模,其特征在于,
所述半透光膜和所述遮光膜由能够用同一蚀刻液进行蚀刻的材料构成,所述半透光膜和所述遮光膜相对于所述同一蚀刻液的蚀刻速率比为5:1~50:1。
11.一种显示装置的制造方法,其特征在于,具有:
准备权利要求7~10中任一项所述的多级灰度光掩模的工序;以及
利用曝光装置对所述多级灰度光掩模进行曝光并将所述转印用图案转印至被转印体的工序。
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