[发明专利]使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程

说明书

本发明提供一种使用蚀刻察觉印刷回避增进安全次解析辅助特征印刷的制程。具体实施例包括对具有待形成于衬底上的多个特征和多个次解析辅助特征(SARF)两者的掩模进行掩模至阻剂模拟；侦测将透印至阻剂的多个次解析辅助特征；检查所侦测的次解析辅助特征的尺寸以判断一个或多个次解析辅助特征是否将渗透蚀刻至衬底；修改一个或多个次解析辅助特征；以及在一个或多个次解析辅助特征已修改后形成掩模。

技术领域

本揭露是关于使用次解析辅助特征(SRAF)进行的光刻处理。本揭露尤其适用于32纳米(nm)及之后的技术节点用的深紫外光(DUV)技术。

背景技术

光刻掩模是用于制造如集成电路的半导体装置。掩模是根据待印刷于例如硅晶圆上的影像而被图型化。光线是透射穿过掩模中的开口并且是聚焦于已涂布于硅晶圆上的光阻层。透射及聚焦的光线曝照部分光阻。显影剂是用于移除阻剂层的曝露部位或非曝露部位的任一者，端视光阻为正、或负型阻剂而定。剩余光阻在晶圆进一步处理(例如，蚀刻下面层件的曝露部位、将离子布植到晶圆中等)期间的作用在于保护下面的层件。在对此图样进行晶圆制造程序后，可将光阻层的剩余部位移离下面的衬底。印刷在光阻上的图样与光刻掩模的图样有相关性。

提高配置各种集成电路结构的密度为持续不间断的目标。待印刷于硅晶圆上的特征的临界尺寸随着技术节点的减小而缩减。由于特征的尺寸变得小于光线的波长，所以在印刷的图样中出现失真。为了缩减这些失真，对待印刷特征的间的掩模添加次解析辅助特征。次解析辅助特征一般未印刷在半导体晶圆上，但有助于平衡特征图样的光学密度。

次解析辅助特征是以接近光学邻近校正(OPC)形状的方式置于掩模上以协助/改良光刻制程。尤其是，将次解析辅助特征置于掩模上会改良制程窗口(PW)。希望使用积极的次解析辅助特征安插策略以改良光刻期间的影像处理品质以及对光刻制程变异的图样转移两者。然而，太积极的安插策略可能会导致印刷及蚀刻次解析辅助特征，使得次解析辅助特征可变成促使随机缺陷产生的缺陷。这在印刷的次解析辅助特征形成阻剂线时尤其如此。再者，整合层级中多重堆迭印刷的次解析辅助特征可对信号形成实际的电路径而可改变(并且甚至损坏)电路行为。

已知方法含括使用第二曝照以修正/移除印刷的辅助特征。例如，在32纳米、28纳米、以及20纳米技术一些如多晶(Poly)的层件中，已建议在网格化间距上制作所需的最终设计，其中解析度增强技术(RET)(照明/来源分布)是对如图1所示的特定间距予以具体优化。尤其是，修正掩模101是形成于原始设计103的任一侧上，以及修正掩模101包括印刷尺寸与间距类似原始设计103的辅助特征105。由于这些技术使用修正掩模103，所以可以印刷辅助特征105，因为修正掩模随后接着使用修正阶段移除。尽管有证据显示用此制程有助于印刷次解析辅助特征，但此技术仍受限于具有修正掩模的技术。

因此，需要一种在光刻制程期间以次解析辅助特征印刷进行积极次解析辅助特征策略而无需修正掩模的方法。

发明内容

本揭露的一个实施例为使用蚀刻察觉次解析辅助特征印刷回避(SPA)引擎进行次解析辅助特征印刷(SSP)的方法。

本揭露的另一实施例为包括次解析辅助特征的装置，该次解析辅助特征小于将穿过蚀刻至衬底者的尺寸。

本揭露的另外的实施例及其他特征将在随后说明中提出，并且经由审阅下文对所属领域具备普通技术者将显而易知，或可经由实施本揭露予以学习。可如所附权利要求书特别指出者实现并且得到本揭露的优点。

根据本揭露，可通过制造半导体装置的方法部分达成一些技术功效，本方法包括对具有待形成于衬底上的多个特征和多个次解析辅助特征两者的掩模进行掩模至阻剂模拟；侦测将透印至阻剂的多个次解析辅助特征；检查所侦测的次解析辅助特征的尺寸以判断一个或多个次解析辅助特征是否将渗透蚀刻至衬底；修改一个或多个次解析辅助特征；以及在一个或多个次解析辅助特征已修改后形成掩模。