[发明专利]键合衬底表面的处理方法在审
| 申请号： | 201410389772.9 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104167353A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 程卫华;梅绍宁;陈俊;朱继锋 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 表面 处理 方法 | ||
1.一种键合衬底表面的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一键合衬底；
沉积一绝缘层覆盖所述键合衬底的表面；
于所述绝缘层上方沉积一辅助层以将所述绝缘层的表面予以覆盖；
按照从上到下的顺序依次部分刻蚀所述辅助层和所述绝缘层至所述键合衬底的表面，以形成通孔；
于所述通孔中填充金属后，采用平坦化工艺去除多余的金属；
继续去除所述辅助层后，形成金属突出于所述键合衬底的键合界面；
其中，所述辅助层与所述绝缘层的材质不同。
2.如权利要求1所述的键合衬底表面的处理方法，其特征在于，根据所述绝缘层的材质来确定所述辅助层的材质。
3.如权利要求2所述的键合衬底表面的处理方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为氮化硅，所述辅助层的材质为二氧化硅。
4.如权利要求2所述的键合衬底表面的处理方法，其特征在于，所述绝缘层的材质为二氧化硅，所述辅助层的材质为氮化硅。
5.如权利要求1所述的键合衬底表面的处理方法，其特征在于，采用选择性刻蚀的方法去除所述辅助层。
6.如权利要求5所述的键合衬底表面的处理方法，其特征在于，采用等离子体干法刻蚀工艺去除所述辅助层。
7.如权利要求5所述的键合衬底表面的处理方法，其特征在于，采用SiCoNi干法化学预清工艺去除所述辅助层。
8.如权利要求1所述的键合衬底表面的处理方法，其特征在于，沉积所述辅助层的厚度根据具体工艺需求设定。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
