[发明专利]键合衬底表面的处理方法在审

专利信息
申请号: 201410389772.9 申请日: 2014-08-08
公开(公告)号: CN104167353A 公开(公告)日: 2014-11-26
发明(设计)人: 程卫华;梅绍宁;陈俊;朱继锋 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 衬底 表面 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种键合衬底表面的处理方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供一键合衬底;

沉积一绝缘层覆盖所述键合衬底的表面;

于所述绝缘层上方沉积一辅助层以将所述绝缘层的表面予以覆盖;

按照从上到下的顺序依次部分刻蚀所述辅助层和所述绝缘层至所述键合衬底的表面,以形成通孔;

于所述通孔中填充金属后,采用平坦化工艺去除多余的金属;

继续去除所述辅助层后,形成金属突出于所述键合衬底的键合界面;

其中,所述辅助层与所述绝缘层的材质不同。

2.如权利要求1所述的键合衬底表面的处理方法,其特征在于,根据所述绝缘层的材质来确定所述辅助层的材质。

3.如权利要求2所述的键合衬底表面的处理方法,其特征在于,所述绝缘层的材质为氮化硅,所述辅助层的材质为二氧化硅。

4.如权利要求2所述的键合衬底表面的处理方法,其特征在于,所述绝缘层的材质为二氧化硅,所述辅助层的材质为氮化硅。

5.如权利要求1所述的键合衬底表面的处理方法,其特征在于,采用选择性刻蚀的方法去除所述辅助层。

6.如权利要求5所述的键合衬底表面的处理方法,其特征在于,采用等离子体干法刻蚀工艺去除所述辅助层。

7.如权利要求5所述的键合衬底表面的处理方法,其特征在于,采用SiCoNi干法化学预清工艺去除所述辅助层。

8.如权利要求1所述的键合衬底表面的处理方法,其特征在于,沉积所述辅助层的厚度根据具体工艺需求设定。

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