[发明专利]基片处理的控制设备及其控制方法在审
申请号: | 201410390042.0 | 申请日: | 2014-08-08 |
公开(公告)号: | CN104157596A | 公开(公告)日: | 2014-11-19 |
发明(设计)人: | 熊丹 | 申请(专利权)人: | 熊丹 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 523011 广东省东莞市南城*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 控制 设备 及其 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种基片处理的控制设备及其控制方法,更具体地涉及太阳能电池玻璃基片在镀膜前的加热及在镀膜后的冷却处理的控制设备及控制方法。
背景技术
随着人们对能源的需求量日益增大,太阳能电池作为新兴的环保资源,其应用越来越广泛。相应地,太阳能电池制造产业也因其广阔的应用前景而不断发展壮大。
在太阳能电池的制造过程中,太阳能电池玻璃基片的等离子体化学气相沉积(PECVD)是一个关键的处理工序。而在沉积镀膜前,基片必须进行加热处理,而沉积镀膜后,基片亦要进行冷却处理,才得以达到其制造的要求。传统上,一般由一传动机构输送待加热的基片组至一独立的加热装置,待基片组达到加热周期后,再被传送至镀膜装置进行等离子体化学气相沉积,等到镀膜完成后,基片组被输送至独立的冷却装置进行冷却,直至等待冷却完成被输送出,才可进行下一轮的基片组加热。这样,基片组的等待时间极长,工作效率极低,远远不能满足市场的需求。
因此,提供一种工作周期短、工作效率高的基片处理的控制设备及控制方法实为必要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种工作周期短、工作效率高的基片处理的控制设备及控制方法。
为实现上述目的,本发明的基片处理的控制设备,包括处理装置、分别与所述处理装置接应的第一传送机构及第二传送机构。其中,所述第一传送机构用于将待加热的基片组传送至所述处理装置。所述处理装置包括若干加热装置,所述加热装置用于定时接收待加热的所述基片组并对待加热的所述基片组加热,所述处理装置将达到加热周期的所述基片组所对应的加热装置移动至所述第二传送机构的位置,形成空载状态后的所述加热装置接收下一待加热的基片组并进行加热。所述第二传送机构用于将达到加热周期的所述基片组传送至下一平台。每组的基片组的加热完成的时间点各不相同,各不冲突,从而在一组基片组的加热周期内可对多组基片组进行加热,进而缩短基片组的等待时间,提高工作效率。
较佳地,所述处理装置还包括若干冷却装置,所述冷却装置用于定时接收来自所述第二传送机构传送的待冷却的所述基片组并进行冷却,所述处理装置将达到冷却周期的所述基片组所对应的冷却装置移动至所述第一传动机构的位置,达到冷却周期的所述基片组由所述第一传动机构传送输出。
较佳地,所述处理装置的加热装置及冷却装置呈交错的间隔排列。
较佳地,所述第一传动机构及第二传动机构位于同一直线上并分别置于所述处理装置的两侧。
较佳地,还包括机械手,所述机械手设置于所述第一传动机构的远离所述处理装置的一端,用以对所述基片组进行初始放置及最终移取。
较佳地,还包括一夹具,用以夹持固定所述基片组。
较佳地,还包括一轨道,用以供所述处理装置在其上滑移。
较佳地,所述下一平台为镀膜装置。
本发明的基片处理的控制方法包括:处理装置的各个加热装置定时接收来自第一传送机构传送的待加热的基片组并对待加热的所述基片组加热;当所述基片组达到加热周期时,所述处理装置将所述基片组所对应的加热装置移动至第二传送机构的位置,达到加热周期的所述基片组由所述第二传送机构传送至下一平台并使所述加热装置形成空载状态;形成空载状态的所述加热装置再次接收来自所述第一传送机构传送的待加热的基片组并进行加热。每组的基片组的加热完成的时间点各不相同,各不冲突,从而在一组基片组的加热周期内可对多组基片组进行加热,进而缩短基片组的等待时间,提高工作效率。
较佳地,该基片处理的控制方法还包括:所述处理装置的各个冷却装置定时接收来自所述第二传送机构传送的待冷却的所述基片组并进行冷却,当所述基片组达到冷却周期时,所述处理装置将所述基片组所对应的冷却装置移动至所述第一传动机构的位置,达到冷却周期的所述基片组由所述第一传动机构传送输出。此种设置同样能缩短基片组的冷却时间,提高其工作效率。
较佳地,所述处理装置的加热装置及冷却装置呈交错的间隔排列。
较佳地,所述第一传动机构及第二传动机构位于同一直线上并分别置于所述处理装置的两侧。
较佳地,在所述第一传动机构的远离所述处理装置的一端设置一机械手,以对所述基片组进行初始放置及最终移取。
较佳地,所述基片组由一夹具夹持固定。
较佳地,设定所述处理装置在一轨道上滑移。
较佳地,所述下一平台为镀膜装置。
通过以下的描述并结合附图,本发明将变得更加清晰,这些附图用于解释本发明的实施例。
附图说明
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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