[发明专利]多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置

权利要求书

1.一种多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，包括：

尾气储罐，用于收集并储存多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气；

工业水一级淋洗塔，与所述尾气储罐连接，所述工业水一级淋洗塔用于将输入的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气进行工业水一级淋洗；

碱液二级淋洗塔，与所述工业水一级淋洗塔连接，所述碱液二级淋洗塔用于将经过所述工业水一级淋洗塔淋洗过的尾气进行碱液二级淋洗。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，还包括

pH值调节罐，分别与所述工业水一级淋洗塔，所述碱液二级淋洗塔连接，所述pH值调节罐用于将所述工业水一级淋洗塔输出的酸液与所述碱液二级淋洗塔输出的碱液进行中和后排出。

3.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，还包括

压滤机，与所述pH值调节罐连接，用于将所述pH值调节罐内的酸液和碱液中和后得到的物质进行压滤，得到分离开的固体和液体。

4.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，所述pH值调节罐至少为两套，且并联连接。

5.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，还包括

第一安全液封槽，与所述pH值调节罐连接，所述第一安全液封槽内盛放有碱液，用于中和从所述pH值调节罐排出的尾气中的氯化氢后放空。

6.根据权利要求1所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，还包括

第二安全液封槽，与所述碱液二级淋洗塔连接，所述第二安全液封槽内盛放有碱液，用于中和从所述碱液二级淋洗塔排出的尾气中的氯化氢后放空。

7.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，还包括

工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐，分别与所述工业水一级淋洗塔、所述pH值调节罐连接，所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐用于缓冲从所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐输入到所述pH值调节罐的酸液。

8.根据权利要求7所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐至少为两套，且并联连接。

9.根据权利要求7所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，还包括

第三安全液封槽，与所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐连接，所述第三安全液封槽内盛放有碱液，用于中和从所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐排出的尾气中的氯化氢后放空。

10.根据权利要求7所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，所述工业水一级淋洗塔上设置有酸液循环入口，所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐还与所述酸液循环入口连接，所述工业水一级淋洗塔的酸液缓冲罐用于将其内的酸液再输回到所述工业水一级淋洗塔内。

11.根据权利要求2所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，还包括

碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐，分别与所述碱液二级淋洗塔、所述pH值调节罐连接，所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐用于缓冲从所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐输入到所述pH值调节罐的碱液。

12.根据权利要求11所述的多晶硅生产工艺中含有氯硅烷的尾气的处理装置，其特征在于，所述碱液二级淋洗塔上设置有碱液循环入口，所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐还与所述碱液循环入口连接，所述碱液二级淋洗塔的碱液缓冲罐用于将其内的碱液再输回到所述碱液二级淋洗塔内。