[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示器领域，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

液晶显示装置已广泛的应用于人们的工作和生活中，随着液晶显示技术的发展，人们对显示器的画质要求越来越高，如分辨率、亮度、视角、色彩饱和度以及画面响应速度等。

传统的液晶显示装置将彩膜基板和阵列基板分别在不同的基板上进行制作，其中彩膜基板包括公共电极、RGB(红绿蓝)彩膜(彩膜光阻)以及黑色矩阵(BM，Black Matrix)；阵列基板包括薄膜晶体管、外围线路以及像素电极；然后将彩膜基板和阵列基板进行对盒操作，以形成液晶显示面板。传统的液晶显示面板的制作过程虽然简单，但是彩膜基板和阵列基板进行对盒操作时，容易由于对位误差产生漏光以及开口率降低的技术问题。

因此为了避免上述的技术问题，液晶显示装置的制作商开发了一种COA(Color Film On Array)阵列基板，COA阵列基板将彩膜基板和阵列基板设置在同一玻璃基板上，这样在对盒操作时不会产生对位误差，提高了液晶显示面板的开口率。

但是现有的COA阵列基板需要将彩膜光阻(有机材料)粘附在阵列基板的绝缘材料(无机材料)上，容易产生彩膜光阻的脱落(peeling)现象。

故，有必要提供一种阵列基板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种彩膜光阻不易从阵列基板上脱落的阵列基板及其制作方法；以解决现有的阵列基板中彩膜光阻易从阵列基板上脱落的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：

玻璃基板，其上依次设置有第一金属层、第一绝缘层、第二金属层、第二绝缘层、彩膜光阻层、第三绝缘层以及透明电极层；

其中所述第一绝缘层用于对所述第一金属层与所述第二金属层进行绝缘处理；所述第三绝缘层用于对所述彩膜光阻层和所述透明电极层进行绝缘处理；所述第二绝缘层用于对所述第二金属层与所述彩膜光阻层进行绝缘处理；所述第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及设置在所述氮化硅绝缘层上的二氧化硅绝缘层。

在本发明所述阵列基板中，所述第二金属层包括用于传输数据信号的数据线；所述第一金属层包括用于传输扫描信号的扫描线；所述透明电极层包括用于显示所述数据信号的像素电极；所述彩膜光阻层包括彩膜光阻。

在本发明所述阵列基板中，所述阵列基板还包括：

薄膜晶体管，用于根据所述扫描信号，将所述数据信号传输至所述像素电极上。

在本发明所述阵列基板中，所述第二绝缘层的所述氮化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米；所述第二绝缘层的所述二氧化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米。

在本发明所述阵列基板中，所述第三绝缘层为氮化硅绝缘层或二氧化硅绝缘层，所述第三绝缘层的厚度为100纳米至200纳米；所述第一绝缘层为氮化硅绝缘层，所述第一绝缘层的厚度为100纳米至300纳米；所述彩膜光阻层的厚度为500纳米至2000纳米；所述透明电极层为氧化铟锡透明电极层或氧化铟锌透明电极层，所述透明电极层的厚度为10纳米至100纳米。

本发明实施例还提供一种阵列基板的制作方法，其包括：

在玻璃基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图形化处理，以形成扫描线以及薄膜晶体管的栅极；

在所述玻璃基板上沉积第一绝缘层以及半导体层，并对所述第一绝缘层以及所述半导体层进行图形化处理，以形成所述薄膜晶体管的沟道；

在所述玻璃基板上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图形化处理，以形成数据线以及所述薄膜晶体管的漏极以及源极；

在所述玻璃基板上沉积第二绝缘层，并对所述第二绝缘层进行图形化处理；

在所述图形化处理后的所述第二绝缘层上沉积彩膜光阻层，以形成所述彩膜光阻；

在所述玻璃基板上沉积第三绝缘层，并对所述第三绝缘层进行图形化处理，以在所述第三绝缘层上形成通孔；以及

在所述玻璃基板上沉积透明电极层，并对所述透明电极层进行图形化处理，以形成像素电极；

其中所述第二绝缘层包括氮化硅绝缘层以及设置在所述氮化硅绝缘层上的二氧化硅绝缘层。

在本发明所述的阵列基板的制作方法中，所述第二绝缘层的所述氮化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米；所述第二绝缘层的所述二氧化硅绝缘层的厚度为50纳米至100纳米。