[发明专利]一种隧穿氧化层的制造方法和具有该隧穿氧化层的快闪存储器在审
| 申请号： | 201410390775.4 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN105336595A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 许毅胜;于法波;熊涛;刘钊;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 制造 方法 具有 闪存 | ||
1.一种隧穿氧化层的制造方法，其特征在于，包括：
在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，以形成处理后的硅衬底；
在所述处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在硅衬底表面形成第一氧化层并去除，包括：
对所述硅衬底表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底；
采用干氧氧化工艺，在所述清洗后的硅衬底表面形成所述第一氧化层；
采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用湿法化学清洗方法对所述硅衬底表面进行湿法清洗，以形成清洗后的硅衬底。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层的溶液为混合酸性溶液，其中，所述混合酸性溶液包含有氢氟酸。
5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀技术，去除所述第一氧化层时，还包括：
去除所述硅衬底表面的缺陷和金属离子。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度为
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述处理后的硅衬底表面形成隧穿氧化层的方法是现场蒸汽生成法。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化层为隧穿氧化硅层。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为
10.一种快闪存储器，其特征在于，所述快闪存储器的隧穿氧化层的制造方法为上述权利要求1-9中任一项所述的制造方法。
11.根据权利要求10所述的快闪存储器，其特征在于，所述快闪存储器为NOR快闪存储器或NAND快闪存储器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
