[发明专利]形貌测试片及其形成方法在审
| 申请号： | 201410390809.X | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104157587A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形貌 测试 及其 形成 方法 | ||
1.形貌测试片的形成方法，其特征在于，包括：
提供一待回收的标准监控片，所述标准监控片包括一半导体衬底及设置于所述半导体衬底上的掺杂区；
清洗所述标准监控片以去除所述标准监控片上的杂质；
在所述标准监控片上形成一保护层；
研磨所述保护层但不暴露出所述掺杂区，形成形貌测试片。
2.如权利要求1所述形貌测试片的形成方法，其特征在于，所述保护层为二氧化硅层。
3.如权利要求1所述形貌测试片的形成方法，其特征在于，所述标准监控片是用于离子注入工艺的标准监控片。
4.如权利要求3所述形貌测试片的形成方法，其特征在于，所述标准监控片的掺杂区上残留有探测针孔。
5.如权利要求4所述形貌测试片的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度大于探测针孔的深度与研磨厚度之和。
6.如权利要求1所述形貌测试片的形成方法，其特征在于，清洗所述标准监控片的步骤包括：
使用第一清洗液清洗所述标准监控片；
使用第二清洗液清洗所述标准监控片；以及
使用第三清洗液清洗所述标准监控片。
7.如权利要求6所述形貌测试片的形成方法，其特征在于，所述第一清洗液为氨水与双氧水的混合溶液。
8.如权利要求6所述形貌测试片的形成方法，其特征在于，所述第二清洗液为盐酸与双氧水的混合溶液。
9.如权利要求6所述形貌测试片的形成方法，其特征在于，所述第三清洗液为稀释的氢氟酸溶液。
10.一种形貌测试片，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的方法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
