[发明专利]发光元件、发光装置、电子设备及照明装置

权利要求书

1.一种发光元件，包括：

阳极与阴极之间的EL层；

所述阴极与所述EL层之间的第一层，所述第一层含有具有空穴传输性的物质以及相对于所述具有空穴传输性的物质的受主物质；

所述阴极与所述EL层之间的第二层；以及

所述阴极与所述EL层之间的第三层，所述第三层含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种，

其中，所述第一层设置在所述阴极与所述第二层之间并接触于所述阴极及所述第二层，

所述第二层设置在所述第一层与所述第三层之间并接触于所述第一层及所述第三层，

并且，所述第三层设置在所述第二层与所述EL层之间并接触于所述第二层及所述EL层，其特征在于，所述第二层含有酞菁类材料。

2.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述酞菁类材料是金属酞菁类材料。

3.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述酞菁类材料由下述结构式中的任一个表示：

4.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述酞菁类材料由下述结构式表示：

5.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述第二层还含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的一种。

6.根据权利要求5所述的发光元件，

其中在所述第二层中所述碱金属、所述碱土金属、所述稀土金属、所述碱金属化合物、所述碱土金属化合物和所述稀土金属化合物中的所述一种与所述酞菁类材料的质量比为0.001：1以上且0.1：1以下。

7.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述第三层还含有具有电子传输性的物质。

8.根据权利要求7所述的发光元件，

其中在所述第三层中所述碱金属、所述碱土金属、所述稀土金属、所述碱金属化合物、所述碱土金属化合物和所述稀土金属化合物中的所述一种与所述具有电子传输性的物质的质量比为0.001：1以上且0.1：1以下。

9.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述EL层包括含有具有电子传输性的物质的第四层，

并且所述第四层接触于所述第三层。

10.根据权利要求1所述的发光元件，

其中在所述第一层中所述受主物质与所述具有空穴传输性的物质的质量比为0.1：1以上且4.0：1以下。

11.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述第一层具有含有所述具有空穴传输性的物质的层以及含有所述受主物质的层的叠层结构。

12.根据权利要求1所述发光元件，

其中所述EL层包括含有具有空穴传输性的第二物质及相对于所述具有空穴传输性的第二物质的第二受主物质的第五层，

并且所述第五层接触于所述阳极。

13.根据权利要求12所述的发光元件，

其中所述第二受主物质与所述具有空穴传输性的第二物质的质量比为0.1：1以上且4.0：1以下。

14.根据权利要求12所述的发光元件，

其中所述第五层具有含有所述具有空穴传输性的第二物质的层以及含有所述第二受主物质的层的叠层结构。

15.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述第一层中含有的所述受主物质是过渡金属氧化物。

16.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述第一层中含有的所述受主物质是所述元素周期表中的第四族至第八族的金属的氧化物。

17.根据权利要求1所述的发光元件，

其中所述第一层中含有的所述受主物质是氧化钼。

18.一种包括根据权利要求1所述的发光元件的发光装置。

19.一种包括根据权利要求18所述的发光装置的电子设备。

20.一种包括根据权利要求18所述的发光装置的照明装置。