[发明专利]量测芯片内单管曲线的方法在审
| 申请号： | 201410391975.1 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN104319243A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 马香柏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 内单管 曲线 方法 | ||
1.一种量测芯片内单管曲线的方法，其特征在于：包含如下步骤：
第一步，选取样品，将样品研磨至所需量测的层次；
第二步，在研磨打开的器件表面淀积一层绝缘材质，将器件表面完全覆盖住；
第三步，采用聚焦离子束机台刻蚀绝缘材质，暴露出需要做桥联的单管的监测节点；
第四步，采用聚焦离子束机台，由暴露出的监测节点开始，在绝缘材质上生长向外延伸的铂金属条,在铂条的延伸末端形成焊盘；
第五步，将制作完焊盘的芯片转移至手动测试机台，将探针全部接地电位，对焊盘进行预扎针放电；
第六步，对器件的单管各监测节点对应的焊盘施加相应的测试信号，进行曲线的量测。
2.如权利要求1所述的量测芯片内单管曲线的方法，其特征在于：所述第一步中的样品为裸芯片；对于已封装好的芯片，先去除封装，形成裸芯片。
3.如权利要求1所述的量测芯片内单管曲线的方法，其特征在于：所述第二步中，绝缘材质优选为氧化硅；绝缘材质的厚度为0.5～2微米，长度及宽度均在50～500微米，以将目标区域完全覆盖住且预留有后续制作焊盘的空间。
4.如权利要求1所述的量测芯片内单管曲线的方法，其特征在于：所述第三步中，所述单管的监测节点是指单管的各个电极。
5.如权利要求1所述的量测芯片内单管曲线的方法，其特征在于：所述第四步中，采用1000pA的束流生长出长度5～500微米、宽度1～2微米、厚度0.8～1微米的铂金属条。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
