[发明专利]形成多晶硅电阻的方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201410392176.6 | 申请日： | 2014-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105336575B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 夏禹;刘丽丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅电阻 多晶硅层 硅介质 薄膜 半导体器件 电阻率 半导体基体 硅原子 生产工艺 扩散 申请 应用 | ||
1.一种形成多晶硅电阻的方法，其特征在于，所述方法包括：
在半导体基体上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层的表面上形成含硅介质薄膜，以使硅原子扩散至所述多晶硅层中并形成所述多晶硅电阻；
在形成所述含硅介质薄膜和所述多晶硅电阻的步骤中，通入包含硅前驱体的反应气体以沉积形成所述含硅介质薄膜，并且使得所述硅前驱体中的硅原子扩散至所述多晶硅层中形成所述多晶硅电阻，并保留部分所述含硅介质薄膜；
在形成所述含硅介质薄膜和所述多晶硅电阻的步骤中，所述反应气体的总流量为3000～5000sccm，沉积温度为400～600℃，沉积时间为10～60s。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述含硅介质薄膜和所述多晶硅电阻的步骤中，所述硅前驱体中的硅原子扩散至部分所述多晶硅层中。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述含硅介质薄膜为富氧硅，所述反应气体包括所述硅前驱体和一氧化二氮；
所述含硅介质薄膜为二氧化硅，所述反应气体包括所述硅前驱体和氧气；
所述含硅介质薄膜为氮化硅，所述反应气体包括所述硅前驱体和氮气。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
所述含硅介质薄膜为富氧硅，所述反应气体中所述硅前驱体和所述一氧化二氮的体积比为1：5～10；
所述含硅介质薄膜为二氧化硅，所述反应气体中所述硅前驱体和所述氧气的体积比为2～6；
所述含硅介质薄膜为氮化硅，所述反应气体中所述硅前驱体和所述氮气的体积比为1：10～20。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述含硅介质薄膜和所述多晶硅电阻的步骤中，扩散至所述多晶硅层中的硅原子的浓度为1E+6～1E+8atoms/cm
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述硅前驱体为硅烷、二甲基硅烷或四乙氧基硅烷。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅介质薄膜构成金属硅化物阻挡层。
8.一种半导体器件，包括多晶硅电阻，与部分所述多晶硅电阻连接的金属硅化物，以及与所述金属硅化物连接的接触金属层，其特征在于，所述多晶硅电阻由权利要求1至7中任一项所述的方法形成。
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