[发明专利]鳍式场效应晶体管及其假栅的制造方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的假栅的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供衬底，所述衬底上形成有鳍及隔离层；

覆盖鳍及隔离层以形成掩盖层；

沿与鳍垂直的方向进行掩盖层的刻蚀，直至暴露隔离层，以形成具有倒梯形结构的开口；

填满开口，以在开口中形成假栅；

去除掩盖层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成掩膜层的步骤具体包括：

依次淀积第一掩盖层和第二掩盖层，第一掩盖层相对隔离层具有刻蚀选择性；

进行平坦化，形成覆盖鳍及隔离层的掩盖层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成开口之后，进行填充之前，还包括步骤：

在开口的鳍上形成栅介质层。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成掩盖层之前还包括步骤：在鳍表面上形成栅介质层；

在去除掩盖层之后，还包括步骤：去除假栅两侧的栅介质层。

5.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：

采用如权利要求1-4中任一项所述的方法形成假栅；

在假栅两侧的鳍中形成源漏区；

覆盖源漏区以形成层间介质层；

去除假栅，以形成沟槽；

填满沟槽，以在沟槽中形成替代栅。

6.根据权利要求5所述的鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，在去除假栅的步骤中，进一步包括：去除假栅下的栅介质层；

在沟槽中形成替代栅的步骤中，进一步包括：在沟槽中的鳍上形成替代栅介质层。